【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶片生产，更进一步涉及一种晶片清洗装置。
技术介绍
1、在晶片清洗环节，清洗机的导入提高了效率和质量。在现有技术条件下，若要保持产品的高性能与稳定性，必须要重视晶片的清洗流程，清洗环节的重要性直接影响到产品的特性和稳定性。
2、当前清洗环节一般有流洗和振洗两种，按流质来说有酸洗、碱洗、酒精洗、纯水洗等。纯水流洗是其中不可或缺的一环，能最大限度的保证晶体的洁净度。
3、清洗机使用纯水流洗晶片，一旦清洗机启用，流洗槽会一边进水，一边溢流，持续不断供给纯水，当产能安排不满时，就会增加超纯水的浪费，超纯水的直接成本与制备设备树脂养护费用也大大增加。
4、对于本领域的技术人员来说，如何减少清洗过程的清洗水的使用，是目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种晶片清洗装置，放置晶片时向清洗内槽供水，移出晶片时停止供水，供水过程与晶片放置过程保持同步，减少清洗过程的清洗水的使用量，节约生产成本，具体方案如下：
2、一种晶片清洗装置，包括：
3、清洗内槽，用于盛装清洗水，内部放置待清洗晶片；
4、到位传感器，用于检测输送设备是否向所述清洗内槽内放置待清洗晶片；
5、供水系统，用于向所述清洗内槽供给清洗水；
6、控制模块，包括输入子模块和输出子模块，用于根据所述到位传感器的检测信号，控制所述供水系统向所述清洗内槽供给清洗水；
7、其中，当所述到位传感器检测到所述输送设备
8、可选地，所述供水系统包括中转水箱，所述中转水箱连接于水源，所述中转水箱内设置高水位传感器和低水位传感器；当所述中转水箱内的水位低于所述低水位传感器时，所述控制模块控制水源向所述中转水箱供水，当所述中转水箱内的水位高于所述高水位传感器时，水源停止供水；
9、所述中转水箱与所述清洗内槽之间的管路上设置间歇供水泵；当所述到位传感器检测到所述输送设备放入晶片时，控制所述间歇供水泵向所述清洗内槽供水。
10、可选地，所述清洗内槽内设置清洗传感器，当所述清洗内槽内的水位于低于最低水位值时，所述中转水箱向所述清洗内槽供水。
11、可选地，所述清洗内槽内设置溶液扰流板，所述溶液扰流板连接于气源，所述溶液扰流板用于向所述清洗内槽供气形成气泡，从而扰动液体增加流洗效率。
12、可选地，所述溶液扰流板的供气管路上设置电磁阀，用于根据所述到位传感器的检测信号控制供气，当所述到位传感器检测到所述输送设备放入晶片时，控制所述溶液扰流板供气；当所述到位传感器检测到所述输送设备移出晶片时，控制所述溶液扰流板停止供气。
13、可选地，所述清洗内槽的底部设置废水出口，所述供水系统用于向所述清洗内槽的顶部供水。
14、可选地，所述溶液扰流板为设置若干气孔的平板，设置于所述清洗内槽的底部。
15、可选地，所述清洗内槽内盛放的清洗水包括酸性溶液、碱性溶液、酒精溶液、纯水。
16、可选地，所述溶液扰流板供给的气体包括氮气、空气。
17、本技术提供一种晶片清洗装置，清洗内槽盛装清洗水，到位传感器检测输送设备是否向清洗内槽内放置待清洗晶片，当到位传感器检测输送设备向清洗内槽中放置待清洗晶片时，控制模块控制供水系统向清洗内槽供给清洗水；当到位传感器检测到输送设备移出晶片时，控制供水系统停止供水；该装置仅在放置晶片时才在清洗内槽当中供水，在没有放置晶片时停止供水，供水过程与晶片放置过程保持同步，可以减少清洗过程的清洗水的使用量，节约生产成本。
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1.一种晶片清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述供水系统包括中转水箱(3)，所述中转水箱(3)连接于水源，所述中转水箱(3)内设置高水位传感器(31)和低水位传感器(32)；当所述中转水箱(3)内的水位低于所述低水位传感器(32)时，所述控制模块(6)控制水源向所述中转水箱(3)供水，当所述中转水箱(3)内的水位高于所述高水位传感器(31)时，水源停止供水；
3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)内设置清洗传感器(11)，当所述清洗内槽(1)内的水位于低于最低水位值时，所述中转水箱(3)向所述清洗内槽(1)供水。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)内设置溶液扰流板(4)，所述溶液扰流板(4)连接于气源，所述溶液扰流板(4)用于向所述清洗内槽(1)供气形成气泡，从而扰动液体增加流洗效率。
5.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述溶液扰流板(4)的供气管路上设置电磁阀(41)，用于根据所述到位传感器(2
6.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)的底部设置废水出口，所述供水系统用于向所述清洗内槽(1)的顶部供水。
7.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述溶液扰流板(4)为设置若干气孔的平板，设置于所述清洗内槽(1)的底部。
8.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)内盛放的清洗水包括酸性溶液、碱性溶液、酒精溶液、纯水。
9.根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述溶液扰流板(4)供给的气体包括氮气、空气。
...【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述供水系统包括中转水箱(3)，所述中转水箱(3)连接于水源，所述中转水箱(3)内设置高水位传感器(31)和低水位传感器(32)；当所述中转水箱(3)内的水位低于所述低水位传感器(32)时，所述控制模块(6)控制水源向所述中转水箱(3)供水，当所述中转水箱(3)内的水位高于所述高水位传感器(31)时，水源停止供水；
3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)内设置清洗传感器(11)，当所述清洗内槽(1)内的水位于低于最低水位值时，所述中转水箱(3)向所述清洗内槽(1)供水。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述清洗内槽(1)内设置溶液扰流板(4)，所述溶液扰流板(4)连接于气源，所述溶液扰流板(4)用于向所述清洗内槽(1)供气形成气泡，从而扰动液体增加流洗效率。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张程，
申请(专利权)人：山东百利通亚陶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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