A method includes: providing monitoring equipment focus exposure mask with fiducial markers, by photolithography and etching process, the reference mark transferred to the substrate, forming a reference mark pattern on the substrate; providing mask with test marks; with the reference substrate forming a photoresist layer the marking patterns on the implementation of the lithography process using the exposure apparatus, the test marks are transferred to the photoresist layer, forming the test mark pattern; measuring the shift of the tag pattern and reference mark pattern of the test; if the offset is not equal to the target value, the deviation of exposure equipment the optimum exposure position. The method has simple steps and high measuring efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种曝光设备焦距监测 的方法。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺中，通过光刻工艺的曝光设备(Exposure Equipment)将掩模板上的版案转移到半导体衬底的光刻胶层中，形 成光刻胶图案；然后，以该光刻胶图案作为掩模层，对半导体衬底执行 后续的刻蚀或离子注入工艺。在光刻工艺中，光刻胶图案的线宽以及其侧壁轮廓会受到曝光设备 聚焦状况的影响。而光刻胶图案的线宽以及轮廓会直接影响后续的刻蚀 或离子注入工艺，因而，曝光设备聚焦状况的监测(称为聚焦监测，Focus Monitor)显得尤为重要。曝光设备在工作时，曝光光源发出的光经过准直后投射于具有半导 体集成电路器件某一层版案的掩模板上，穿过该掩模板的光携带有 版案的信息，光穿过所述掩模板后，经过成像系统，投射在半导体 衬底的光刻胶层上，使光刻胶层感光。由于焦距变化会引起形成的光刻胶图案的轮廓的变化，进而引起线 宽发生变化，无论是在向上(接近曝光设备的成像系统)还是向下(远 离曝光设备的成像系统)在偏离最佳焦距，都会造成曝光后的图案模糊， 因而对于同 一个掩模板图案,通过曝...
【技术保护点】
一种曝光设备焦距监测的方法，其特征在于，包括： 提供具有基准标记的掩模板，通过光刻工艺和刻蚀工艺，将所述基准标记转移到基底的上，在所述基底上形成基准标记图案； 提供具有测试标记的掩模板； 在具有所述基准标记图案的基底上形成 光刻胶层，利用所述的曝光设备执行光刻工艺，将所述测试标记转移到所述光刻胶层中，形成测试标记图案； 测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量； 若所述的偏移量不等于目标值，则所述曝光设备偏离最佳曝光位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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