温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种曝光设备焦距监测的方法,包括:提供具有基准标记的掩模板,通过光刻工艺和刻蚀工艺,将所述基准标记转移到基底的上,在所述基底上形成基准标记图案;提供具有测试标记的掩模板;在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层,利用所述的曝光设备执行光刻...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种曝光设备焦距监测的方法,包括:提供具有基准标记的掩模板,通过光刻工艺和刻蚀工艺,将所述基准标记转移到基底的上,在所述基底上形成基准标记图案;提供具有测试标记的掩模板;在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层,利用所述的曝光设备执行光刻...