The present invention provides a method for using sidewall angle monitoring exposure device, the side wall of the side wall angle for exposure device exposed wafer pattern angle, the method for monitoring exposure device focus offset value, the first measurement of exposure device for monitoring the offset value under different focusing patterns on a wafer exposed side wall angle. To obtain specific relation device of focusing offset value of the side wall angle and exposure. Every time to monitor the exposure device, the side wall only exposure process characteristic size pattern measuring it through the angle of focus offset exposure device according to the concrete formula can calculate the value of the monitoring, determine the exposure device focus offset value is on the threshold range, if not the exposure device needs re calibration. The measurement of the side wall angle is not interfered by the surface factors of the wafer, so the focusing state of the exposure device can be accurately judged, and the monitoring accuracy and stability of the traditional monitoring method can not be solved.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体曝光装置的监控方法，尤其涉及一种采用側壁角监控曝 光装置焦距的方法。
技术介绍
在半导体曝光制程中，对曝光装置的监控是极为重要的，尤其对曝光装置 聚焦偏移值的监控。由于曝光装置曝光聚焦偏移的变化，可能导致曝光出的晶圓上聚焦不良导致图案变形或特征尺寸(Critical Dimension: CD)变化，影响 整个半导体制程生产线的效率。当曝光制程的特征尺寸不断减小的趋势下，晶圆上的图案对曝光装置聚焦的变化变得更加敏感，曝光出的晶圆良率受曝光装 置聚焦变化的影响更为显著。传统的对曝光装置的监控是以相同的曝光能量不 同的聚焦偏移值(Focus Meander)来将光罩上的图案曝在同一片晶圓上，采用 特征尺寸电子扫描显微镜(CD-SEM)来测量晶圆上CD的Bossung曲线拟合结 果来计算曝光装置的聚焦偏移量。当聚焦偏移量大于曝光制程所允许的阈值范 围时，会对曝光装置进行人为校准。然而传统的对曝光装置的监测方法得出的 结果易受到测试晶圆品质的影响，例如晶圆表面的平整度、缺陷等；由于针对 每个聚焦偏移值只有一个或两个CD测试数据，因此此方法的精确度和稳...
【技术保护点】
一种采用侧壁角监控曝光装置的方法，所述侧壁角为曝光装置曝出的晶圆上图案的侧壁角，该方法用于监控曝光装置的聚焦偏移值，其特征在于，它包括以下步骤： 步骤１：测量待监控曝光装置在不同的聚焦偏移值下，曝得的晶圆上图案侧壁角的大小； 步 骤２：根据步骤１得出的曝光装置不同聚焦偏移值下对应的图案侧壁角，得出图案侧壁角与聚焦偏移值的关系式； 步骤３：测量待监控的曝光装置曝得的晶圆上图案的侧壁角，根据步骤２得出的侧壁角与聚焦偏移值的关系式计算曝光装置的聚焦偏移值； 步 骤４：根据步骤３计算出的曝光装置的聚焦偏移值判断曝光装置聚焦偏移值是否在聚焦...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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