一种纳米复合相变材料及其制备与应用制造技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明专利技术的纳米复合相变材料用ＨｆＯ↓［２］与相变材料复合而成，其中，ＨｆＯ↓［２］的重量百分比为１２－３６％，相变材料的重量百分比为６４－８８％。本发明专利技术的纳米复合相变薄膜应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力。

Nano composite phase change material, preparation and application thereof

The invention belongs to the field of microelectronic technology, in particular to a nanocomposite composite phase change film, and the preparation and application thereof. Key words HfO nano composite phase change material of the present invention is 2 and phase change composite materials, wherein, the weight percentage of HfO: 2 for 1236%, the weight percentage of the phase change material for 6488%. Nano composite phase change film application of the invention to the memory, is conducive to the realization of high storage density, improve the heating efficiency in the phase change memory programming process, reduces the power consumption, improve the data retention capability and fatigue properties and anti irradiation ability.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。
技术介绍
相变存储器(C-RAM)是一种新兴的半导体存储器，与目前已有的多种半导体存储技 术相比，包括常规的易失性技术，如静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM) 等，和非易失性技术，如铁电随机存储器(FeRAM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、 闪速存储器(FLASH)等，具有非易失性、循环寿命长(>1013次)、元件尺寸小、功耗低、 可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温(-55—125°C)、抗振动、抗电子干扰和制造工 艺简单(能和现有的集成电路工艺相匹配)等优点。相变存储器(C-RAM)以硫系化合物为存储介质，利用电能(热量)使材料在晶态(低 阻)与非晶态(高阻)之间相互转化实现信息的写入和擦除，信息的读出靠测量电阻的变 化实现。在C-RAM研发中，作为存储器媒介的相变材料的研发和性能的提升是提高C-RAM 器件性能的关键技术之一。在相变材料结晶的过程中，相变材料的晶粒不断增大，相变材 料晶粒的长大是电阻下降的主要原因，所以对晶粒大小的限制对存储器数据保持力的提升 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米复合相变材料，该纳米复合相变材料是用ＨｆＯ↓［２］与相变材料复合而成，其中，ＨｆＯ↓［２］的重量百分比为１２－３６％，相变材料的重量百分比为６４－８８％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋三年，宋志棠，封松林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]