小立碗藓抗低温胁迫基因PpCDC48-3及其编码的蛋白质、含有该基因的载体、和细胞系制造技术

技术编号:4167986 阅读:278 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及生物基因工程领域,具体地,本发明专利技术涉及小立碗藓抗低温胁迫基因PpCDC48-3及其编码的蛋白质、含有该基因的载体、和细胞系。所述基因的核苷酸序列如SEQ ID No.1所示,其编码的蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID No.3所示。本发明专利技术获得的基因具有高效的抗逆性。通过常用的基因工程技术,可以利用该基因培育出优质的转基因农作物,从而提高农作物的抗逆性。

Small bowl moss low temperature resistant gene PpCDC48-3 and its encoded protein, vector containing the gene and cell line

The invention relates to the field of biological gene engineering, in particular to a small bowl moss resistant low temperature stress gene PpCDC48 - 3 and a protein encoded by the gene, a vector containing the gene and a cell line. The nucleotide sequences of the genes, such as SEQ, ID, No.1, show the amino acid sequences of their encoded proteins, such as SEQ, ID, and No.3. The gene obtained by the invention has high resistance to stress. Through the use of genetic engineering technology, the gene can be used to produce high-quality transgenic crops, thereby enhancing the resistance of crops.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于生物基因工程领域,具体地,本专利技术涉及一种小立碗藓抗低温胁 迫基因基因尸/70 C^ -j及其编码的蛋白质、含有该基因的载体、和转基因细胞系。
技术介绍
低温、干旱、高盐是限制植物生长发育、地理分布、形态建成等的重要环境 胁迫因素。这些胁迫因素作用的结果均导致植物细胞失水,影响植物细胞的渗透 压,进而影响植物正常的生理代谢,严重时导致植物的死亡。通过对一些模式植 物的研究发现这三种胁迫因素诱导表达的功能蛋白及转录因子相互交差,因此, 寻求同时具有忍耐低温、干旱、高盐胁迫的绿色植物来研究植物的非生物胁迫极 有必要。对苔藓植物的基础研究标明苔藓植物是极地低温度环境的先锋植物之一, 同时它也分布在极端干旱的沙漠。在漫长的生物进化历程中,苔藓植物形成了一 套独特的适应低温干燥等恶劣环境的机制。对小立碗藓非生物胁迫研究发现 (Frank等,2005),与其他高等植物相比,小立碗藓(州ysd'tre77a p^e/ s) 可以忍耐极端的生态环境。如,拟南芥在100mM的NaCl处理下即受到伤害(Sunkar 等,2003),而小立碗藓可以忍耐350mM的NaCl溶液,在缓慢的逐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小立碗藓抗低温胁迫基因PpCDC48-3,其特征在于,其碱基序列如SEQ ID No.1所示。

【技术特征摘要】
1、一种小立碗藓抗低温胁迫基因PpCDC48-3,其特征在于,其碱基序列如SEQID No.1所示。2、 一种小立碗藓抗低温胁迫基因Z^O^^S ,其特征在于,其碱基序列如SEQ ID No. ...

【专利技术属性】
技术研发人员:何奕昆王慧胡勇崔素霞孙铭明
申请(专利权)人:首都师范大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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