一种半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置及其形成方法，涉及半导体技术领域，在本发明专利技术的半导体装置的形成方法中，通过ALD工艺形成致密氧化铝层，然后在致密氧化铝层上形成另一氧化铝层，且在该氧化铝层的形成过程中，向反应腔室中通入适量的封端剂，进而在后续的热处理工艺中，可以在氧化铝层的表面形成纳米凹坑，在形成金属屏蔽层时，所述金属屏蔽层通过所述纳米凹坑与所述第二氧化铝层紧密结合，进而可以提高二者的结合力，可以避免热膨胀系数不同导致的电磁屏蔽层剥离现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体装置及其形成方法。

技术介绍

1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。而半导体封装工艺是为了保护半导体芯片。常规的半导体封装结构包括双列直插式封装、球栅阵列封装、塑料方型扁平式封装、塑料扁平组件式封装、插针网格阵列封装、多芯片模块封装以及芯片尺寸封装等封装结构。在现有的半导体封装结构的制备过程中，通常是直接在半导体芯片表面或封装体表面直接沉积金属材料以作为电磁屏蔽层，而通过电镀或化学镀形成金属材料层是容易污染半导体芯片，而采用蒸镀形成金属材料层时，由于沉积温度较高容易损伤半导体芯片。且由于电磁屏蔽层、塑封层以及半导体芯片三者的热膨胀系数不同，容易导致电磁屏蔽层剥离。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体装置及其形成方法。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体装置的形成方法，所述半导体装置的形成方法包括以下步骤：提供一封装基板，在所述封装基板上设置半导体芯片；利用原子层沉积工艺在所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于：所述半导体装置的形成方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述半导体芯片与所述封装基板电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述第一反应气体中封端剂的占比为20-30%。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述第一致密氧化铝层和第三致密氧化铝层的厚度均为300-800纳米。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述第一金属屏蔽层和所述第二金属屏蔽层通过磁控溅射、热蒸镀、电镀、化学镀或电...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于：所述半导体装置的形成方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述半导体芯片与所述封装基板电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述第一反应气体中封端剂的占比为20-30%。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于：所述第一致密氧化铝层和第三致密氧化铝层的厚度均为300-800纳米。

5.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱进，王兴臣，
申请(专利权)人：日月新半导体威海有限公司，
类型：发明
国别省市：