【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体,尤其涉及一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构。
技术介绍
1、目前现有的半导体封装结构如图1所示,其外引脚1从树脂顶端折下,高度大,且宽度较窄,会导致产品上板后稳定性较差;另外现有的半导体封装结构上的散热片2与引脚1是一体成型的,其均采用金属材料,其树脂内封装的芯片易受反向电压影响。
2、因此,如何克服现有的半导体封装结构带来的弊端,是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构,以解决上述技术问题。
2、第一方面,本技术提供一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构,所述基于新型陶瓷片的半导体封装结构,包括:
3、封装体,所述封装体内封装有芯片;
4、陶瓷散热件,所述陶瓷散热件设于所述封装体上;
5、引脚,所述引脚从所述封装体内引出,所述引脚采用折弯牛角设计且向上延伸,所述引脚的宽度大于管脚的宽度;所述管脚的折弯方向背离所述陶瓷散热件;所述引脚
...【技术保护点】
1.一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述基于新型陶瓷片的半导体封装结构,包括:
2.根据权利要求1所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度大于单根所述管脚的宽度的2倍。
3.根据权利要求1所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度等于单根所述管脚的宽度的2倍。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述管脚从所述封装体内引出。
5.根据权利要求4所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,还包括:爬电沟槽;
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述基于新型陶瓷片的半导体封装结构,包括:
2.根据权利要求1所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度大于单根所述管脚的宽度的2倍。
3.根据权利要求1所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述引脚的宽度等于单根所述管脚的宽度的2倍。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,所述管脚从所述封装体内引出。
5.根据权利要求4所述的基于新型陶瓷片的半导体封装结构,其特征在于,还包括:爬电沟槽;
6.根据权利要求1所述的基于...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖弘昌,钱进,田亚南,刘振东,刘欢,
申请(专利权)人:日月新半导体威海有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。