【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种功率器件的封装体及其制备方法。
技术介绍
1、功率模块通常包括功率器件以及存储器件，在功率模块的工作过程中，环境温度通常会影响存储器件的工作稳定性，特别是在低温环境下，存储器件无法正常工作。而在现有的具有存储芯片的功率模块中，通常是设置额外的加热模块对功率模块进行加热，进而使得存储芯片的温度升高至合适温度，进而才可以确保存储芯片正常工作。而加热模块的设置大大增加了功率模块的体积以及制造成本。如何优化功率模块，在降低制造成本的同时保证存储芯片正常工作，这引起了业界的广泛关注。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种功率器件的封装体及其制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种功率器件的封装体的制备方法，所述功率器件的封装体的制备方法包括以下步骤：
4、提供一导电电路基板，所述导电电路基板上设置多个导电焊盘。
5、在所述导电电路基板上设置存储芯片，在所述...
【技术保护点】
1.一种功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：所述功率器件的封装体的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：在形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的步骤中，利用掩膜对所述存储芯片的上表面进行湿法刻蚀处理或干法刻蚀处理，且多个所述第一凹槽呈矩阵排列，多个所述第二凹槽呈矩阵排列。
3.根据权利要求2所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：所述第一导热块和所述第二导热块的材质为铜、铝、银、石墨烯中的一种或多种，所述第一导热块和所述第二导热块通过电镀、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积中的一种或多种工艺形成。
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：所述功率器件的封装体的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：在形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的步骤中，利用掩膜对所述存储芯片的上表面进行湿法刻蚀处理或干法刻蚀处理，且多个所述第一凹槽呈矩阵排列，多个所述第二凹槽呈矩阵排列。
3.根据权利要求2所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：所述第一导热块和所述第二导热块的材质为铜、铝、银、石墨烯中的一种或多种，所述第一导热块和所述第二导热块通过电镀、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积中的一种或多种工艺形成。
4.根据权利要求2所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于： 所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度相同，且所述第一凹槽的深度与所述存储芯片的厚度比值小于0.1。
5.根据权利要求1所述的功率器件的封装体的制备方法，其特征在于：形成第二封装层之前，在所述存储芯片上设置第二散...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱进，刘振东，田亚南，
申请(专利权)人：日月新半导体威海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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