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本发明涉及一种半导体装置及其形成方法，涉及半导体技术领域，在本发明的半导体装置的形成方法中，通过ALD工艺形成致密氧化铝层，然后在致密氧化铝层上形成另一氧化铝层，且在该氧化铝层的形成过程中，向反应腔室中通入适量的封端剂，进而在后续的热处理工...
该专利属于日月新半导体（威海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月新半导体（威海）有限公司授权不得商用。

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