【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路光刻工艺套刻量测，特别是涉及一种衍射型套刻标记多缺陷特征的全局灵敏度分析方法。
技术介绍
1、光刻是集成电路制造中最复杂、最关键的工艺步骤之一，而套刻误差是衡量光刻工艺质量最重要的指标。套刻误差是指光刻工艺当前层图形相对于参考层图形的偏差。随着光刻工艺的不断向极限纳米尺度发展，这对套刻精度提出了更高的要求。因此，套刻误差的精确测量成为制造过程的关键部分，在晶圆进行下一个不可逆工艺之前，通过测量晶圆上的套刻标记保证半导体制造中工艺质量。
2、芯片加工中的刻蚀和化学机械抛光工艺会导致套刻标记发生侧墙角、圆角等非对称物理形貌变化，而基于衍射的套刻测量技术对套刻标记不对称结构具有特别高的敏感性，这将导致带有缺陷特征的套刻标记测量结果与真实值之间会产生巨大偏差，从而超过套刻误差测量的容许误差。因此，分析套刻标记不对称结构缺陷对测量结果的影响就显得尤为重要。
3、现有关于套刻标记的方案有：
4、1.专利技术专利[cn111508932b]提出的一种存在旋转角的套刻标记条纹单元，因此该套刻标记...
【技术保护点】
1.一种衍射型套刻标记多缺陷特征的全局灵敏度分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据±1阶衍射效率通过如下公式计算套刻误差不准确度；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当已知缺陷参数信息分布情况时，根据确定的套刻标记，在已知缺陷参数先验分布信息条件下，进行采样对每个缺陷特征随机生成个数值组成样本并仿真计算得到对应的组光学响应，将、作为模型的输入和输出并经过训练得到正向模型。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当无缺陷参数先验分布信息时，进行均匀采样步骤得到每个缺陷特征的样本...
【技术特征摘要】
1.一种衍射型套刻标记多缺陷特征的全局灵敏度分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据±1阶衍射效率通过如下公式计算套刻误差不准确度；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当已知缺陷参数信息分布情况时，根据确定的套刻标记，在已知缺陷参数先验分布信息条件下，进行采样对每个缺陷特征随机生成个数值组成样本并仿真计算得到对应的组光学响应，将、作为模型的输入和输出并经过训练得到正向模型。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当无缺陷参数先验分布信息时，进行均匀采样步骤得到每个缺陷特征的样本和光学响应，将、作为模型的输入和输出并经过训练得到反求模型和正向模型，采用反求模型实现对多个样本的缺陷特征尺寸反求和分布信息的近似估计，并将求解的缺陷特征分布信息作为后续计算灵敏度指数的先验信息。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对套刻标记的光学响应进行计算，得到±1阶衍射效率，包括：
6.一种衍射型套刻标记多缺陷特征的全...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟凯，王凯，张航瑛，楼佩煌，钱晓明，武星，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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