一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于有序微纳结构制备技术领域，具体涉及一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用。本发明专利技术得到镀有金属膜层的基底后，在其上进行光刻处理，得到具有周期性结构的衬底。随后对该衬底进行反应离子刻蚀和去胶，即可得到周期较好的纳米火山口结构模板。本发明专利技术借助半导体生产的方法得到带有周期性结构的衬底，大幅减少了使用纳米球模板制备工艺时的缺陷，使获得的结构模板在亚波长尺度上周期性良好。本发明专利技术通过控制反应离子束刻蚀的条件直接调整所需结构的尺寸，缩短了制备时间，提升了加工效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有序微纳结构制备，具体涉及一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用。

技术介绍

1、有序微纳结构在表面增强拉曼散射、光子晶体等方面有着重要的应用，而微纳结构的性能直接取决于其形貌和有序状态，因此制备大面积形貌可控的微纳结构显得尤为重要。

2、目前制备金属微纳结构的方法大多数为基于胶体球自组装模板进行制备，虽然该方法不需要使用复杂设备，但是其在自组装过程中受到许多因素影响，如旋涂法中旋涂仪的转速和微球溶液的浓度等、气液界面自组装法中器皿的稳定性和外界环境的风速等都会对微纳结构的制备产生一定的影响。并且后续结构的尺寸需要通过改变纳米球的直径来调整，由于不能直接改变也在某种程度上增加了工作量。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用，本专利技术提供的制备方法能够得到周期较好的纳米火山口结构模板，具有模板周期性良好，可一次性获得大尺寸结构，缺陷少且便于进行后续操作的特点；同时本专利技术提供的制备方法可以直接调整结构的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种周期性金属纳米中空火山口结构模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的材料包括金、银、铝或镍。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度为290～310nm。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的表面粗糙度Ra≤5nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀处理的条件包括：刻蚀角度为70～85°；氩气流量为5～10sccm；腔内压强为8×10-4Pa；加速电压为180～200V；源极束流为1...

【技术特征摘要】

1.一种周期性金属纳米中空火山口结构模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的材料包括金、银、铝或镍。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度为290～310nm。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的表面粗糙度ra≤5nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀处理的条件包括：刻蚀角度为70～85°；氩气流量为5～10sccm；腔内压强为8×10-4pa；加速电压为180～200v；源极束流为150～180ma；刻蚀时间为60～300s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去胶处理为干法氧化去胶处理，所述干法氧化去胶处理的条件包括：氧气流量为290～300sccm；功率为500～550w；腔内压强为60～62pa；去胶时间为10～15min。

7.根据权利要求1所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓旭，
申请(专利权)人：杭州邦齐州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：