一种电子器件的制备方法及电子器件技术

本申请公开一种电子器件的制备方法及电子器件，涉及微电子技术领域，能够提高电子器件的电学性能。电子器件的制备方法包括：在硅片的一侧设置压电层，其中，压电层包括至少两层堆叠设置的压电薄膜层；在压电层远离硅片的一侧设置保护层；依次对保护层和至少一层压电薄膜层进行干法刻蚀，以依次在保护层形成第一过孔以及在压电层形成第一凹槽，得到过渡基片；对过渡基片进行湿法刻蚀，以刻蚀第一凹槽的槽底，在至少一层压电薄膜层形成第二过孔，第二过孔与第一过孔连通。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微电子，尤其涉及一种电子器件的制备方法及电子器件。

技术介绍

1、目前，在微机电芯片以及集成电路传感器制造中，加工精度是影响器件性能的主要因素，通常薄膜沉积可以通过溅射的方法在晶圆表面生长特定厚度所需膜层，不同的膜层厚度直接影响到器件的阻值以及灵敏度，然而，现有电子器件的制备方式，刻蚀工艺流程中的过刻现象严重，部分膜层的过刻容易导致器件的电阻增大，影响电子器件的电学性能。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种压电材料的制备方法及电子器件，通过干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方式，改善刻蚀过刻的问题，提高电子器件的电学性能。

2、本申请实施例的第一方面，提供一种电子器件的制备方法，包括：

3、在硅片的一侧设置压电层，其中，所述压电层包括至少两层堆叠设置的压电薄膜层；

4、在所述压电层远离所述硅片的一侧设置保护层；

5、依次对所述保护层和至少一层所述压电薄膜层进行干法刻蚀，以依次在所述保护层形成第一过孔以及在所述压电层形成第一凹槽，得到过渡基片；

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【技术保护点】

1.一种电子器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

7.一种电子器件，其特征在于，应用如权利要求1至7中任一项所述的电子器件制备方法制备得到的，所述电子器件包括：硅片、压电层、保护层；

8.根据权利要求7所述的电子器件，...

【技术特征摘要】

1.一种电子器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的电子器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭大飞，卜德冲，王鹏，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：