一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，该方法包括：提供基底，在基底的第一表面上形成有第一牺牲层；在第一牺牲层上依次形成第一保护层、振膜、第二保护层、第二牺牲层和背板层；自基底的第二表面所述第一牺牲层以形成第一腔体，去除第二牺牲层以形成第二腔体，第一腔体露出第一保护层，第二腔体露出第二保护层；去除第一腔体中露出的第一保护层，并去除第二腔体中露出的第二保护层。本发明专利技术方案通过形成第一保护层与第二保护层，并先去除第一牺牲层以形成第一腔体以及去除第二牺牲层以形成第二腔体，再去除露出的第一保护层与第二保护层以露出振膜，能够避免对振膜造成损伤，并且能够降低吸合电压的波动，进而提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种mems器件及其制备方法、电子装置。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，在传感器类产品的市场上，智能手机、集成cmos和微机电系统(mems)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，朝着尺寸小、性能高和功耗低的方向发展。

2、其中，基于微机电系统(mems)工艺制备形成的mems麦克风，因与传统麦克风相比具有体积小、成本低且性能稳定等优点而被广泛应用。然而，相关技术中的mems麦克风的振膜在制备过程中容易受到损伤，并且导mems麦克风的吸合电压易产生波动，进而导致器件良率降低。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、针对目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种mems器件的制备方法，包括：p>

3、提供基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺来去除所述第一保护层与所述第二保护层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧等离子体。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层与所述第二保护层的材质包括非晶碳。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述非晶碳包括氢化非晶碳。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，自所述基底的第二表面去除所述第一牺牲层以形成第一腔体，并去除所述第...

【技术特征摘要】

1.一种mems器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺来去除所述第一保护层与所述第二保护层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧等离子体。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层与所述第二保护层的材质包括非晶碳。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述非晶碳包括氢化非晶碳。

6.根据权利要求1所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：