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本申请公开一种电子器件的制备方法及电子器件,涉及微电子技术领域,能够提高电子器件的电学性能。电子器件的制备方法包括:在硅片的一侧设置压电层,其中,压电层包括至少两层堆叠设置的压电薄膜层;在压电层远离硅片的一侧设置保护层;依次对保护层和至少一...该专利属于赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司授权不得商用。
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本申请公开一种电子器件的制备方法及电子器件,涉及微电子技术领域,能够提高电子器件的电学性能。电子器件的制备方法包括:在硅片的一侧设置压电层,其中,压电层包括至少两层堆叠设置的压电薄膜层;在压电层远离硅片的一侧设置保护层;依次对保护层和至少一...