NAND闪存器件制造技术

一种NAND闪存器件可以包括外围电路，该外围电路包括晶体管、衬底、以及限定衬底的有源区的器件隔离区。晶体管可以包括在有源区上的第一栅极结构。晶体管还可以包括在有源区中并在第一栅极结构的两侧上沿第一方向延伸的源漏区，该源漏区可以包括与第一栅极结构相邻的第一轻掺杂源漏区以及一体地连接到第一轻掺杂源漏区的第二轻掺杂源漏区。第二轻掺杂源漏区可以布置为比第一轻掺杂源漏区更远离第一栅极结构。第二轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度可以小于第一轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及nand闪存器件和包括该nand闪存器件的电子系统，更具体地，涉及包括晶体管的nand闪存器件和包括该nand闪存器件的电子系统。

技术介绍

1、提出了需要数据存储的电子系统包括能够存储大量数据的nand闪存器件(例如，闪存器件)。闪存器件可以包括诸如高压晶体管之类的晶体管。高压晶体管需要改进击穿电压特性和电流特性。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了一种能够改进击穿电压特性和电流特性的nand闪存器件。

2、本专利技术构思提供了一种包括能够改进击穿电压特性和电流特性的nand闪存器件的电子系统。

3、根据本专利技术构思的实施例，一种nand闪存器件可以包括外围电路，该外围电路包括晶体管、衬底、以及在衬底上的器件隔离区。器件隔离区可以限定衬底的有源区。晶体管可以包括在有源区上的第一栅极结构。晶体管还可以包括在有源区中并在第一栅极结构的两侧上沿第一方向延伸的多个源漏区。多个源漏区可以包括第一轻掺杂源漏区和第二轻掺杂源漏区。第一轻掺杂源漏区可以与第一栅极结构相邻，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NAND闪存器件，包括：

2.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

3.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，所述第一轻掺杂源漏区的一部分与所述第一栅极结构重叠。

4.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

5.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

6.根据权利要求5所述的NAND闪存器件，其中，

7.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

8.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

9.根据权利要求1所述的NAND闪存器件，其中，

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【技术特征摘要】

1.一种nand闪存器件，包括：

2.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

3.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，所述第一轻掺杂源漏区的一部分与所述第一栅极结构重叠。

4.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

5.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

6.根据权利要求5所述的nand闪存器件，其中，

7.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

8.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

9.根据权利要求1所述的nand闪存器件，其中，

10.根据权利要求9所述的nand闪存器件，其中，

11.一种nand闪存器件，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：金鹤善，孙洛辰，李东镇，林濬熙，金圣洙，赵汉旻，咸治熊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：