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一种NAND闪存器件可以包括外围电路，该外围电路包括晶体管、衬底、以及限定衬底的有源区的器件隔离区。晶体管可以包括在有源区上的第一栅极结构。晶体管还可以包括在有源区中并在第一栅极结构的两侧上沿第一方向延伸的源漏区，该源漏区可以包括与第一栅极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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