【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磷化铟制备领域，尤其涉及一种磷化铟晶片化蜡装置。
技术介绍
1、磷化铟晶片是极具价值的半导体材料，具有电子迁移率高和电光转化率高的优点，适合制作高频微波器件和电路，具有强的抗辐射能力，作为太阳能电池材料，广泛应用在固体发光、光纤通信、移动通信、医疗成像、导航、卫星等领域。磷化铟晶片的减薄工序中需要用到蜡，所以化蜡也是工序中的一个重要步骤，化蜡即是将较大的呈凝固状的蜡块放置在加热工具上，融化成液态使用。
2、由于蜡块体积较大，直接放置于加热工具内进行加热只能从外向内进行融化，导致热度传导不均匀，化蜡所需时间较长，效率得不到提高。
技术实现思路
1、本技术公开一种磷化铟晶片化蜡装置，旨在解决由于蜡块体积较大，直接放置于加热工具内进行加热只能从外向内进行融化，导致热度传导不均匀，化蜡所需时间较长，效率得不到提高的技术问题。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种磷化铟晶片化蜡装置，包括外箱体，所述外箱体的内壁活动贴合有两个压板，且...
【技术保护点】
1.一种磷化铟晶片化蜡装置，包括外箱体(1)，其特征在于，所述外箱体(1)的内壁设置有两个压板(5)，且每个压板(5)的同一侧外壁分别连接有第一限位滑块(9)，所述第一限位滑块(9)的一侧外壁连接有电动滑块(10)，且电动滑块(10)活动连接有液压滑轨(8)，所述外箱体(1)的一侧内壁交错设置有两个方形滑槽(4)，且两个液压滑轨(8)分别固定于每个方形滑槽(4)的外侧，两个所述第一限位滑块(9)分别活动卡接于两个方形滑槽(4)内，两个所述压板(5)的相对一侧外壁分别设置有多个导热插架(6)，且两个压板(5)上的导热插架(6)呈交错设置，每个所述压板(5)内分别设置有第...
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶片化蜡装置，包括外箱体(1)，其特征在于，所述外箱体(1)的内壁设置有两个压板(5)，且每个压板(5)的同一侧外壁分别连接有第一限位滑块(9)，所述第一限位滑块(9)的一侧外壁连接有电动滑块(10)，且电动滑块(10)活动连接有液压滑轨(8)，所述外箱体(1)的一侧内壁交错设置有两个方形滑槽(4)，且两个液压滑轨(8)分别固定于每个方形滑槽(4)的外侧，两个所述第一限位滑块(9)分别活动卡接于两个方形滑槽(4)内，两个所述压板(5)的相对一侧外壁分别设置有多个导热插架(6)，且两个压板(5)上的导热插架(6)呈交错设置，每个所述压板(5)内分别设置有第二加热器(24)，且两个压板(5)的下方同时设置有主撑架(13)。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片化蜡装置，其特征在于，两个所述压板(5)的相对一侧内壁同时连接有套管(7)，所述外箱体(1)的一侧外壁连接有覆盖壳(2)，且两组液压滑轨(8)同时位于覆盖壳(2)内。
3.根据权利要求2所述的一种磷化铟晶片化蜡装置，其特征在于，所述主撑架(13)的相向两侧分别设置有斜面导向槽(12)，且斜面导向槽(12)的外壁连接有多个立柱(14)，多个所述立柱(14)的顶端高度与主...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国庆，
申请(专利权)人：北京上鼎嘉成科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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