控制单晶硅低氧产品BMD的方法技术

本发明专利技术提供一种控制单晶硅低氧产品BMD的方法，涉及低氧P型晶棒拉晶技术领域，通过掺氮量的控制，使得拉晶过程中，氮能够促进氧析出物的形成、促进空位和间隙的再结合，从而使得氧析出的边界半径变小，从而影响BMD的密度，以使拉制的晶棒的BMD达到预定水平，使其作为金属吸杂源有效地发挥作用，进而产品符合要求，使得产品良率提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于低氧p型晶棒拉晶的，具体涉及一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法。

技术介绍

1、通常状况下，在芯片制成中氧析出物可以吸附一些表面的金属杂质(如：cu、fe、na等......)等快速扩散元素；而这种作用的效率，是和氧析出物bmd(bulk micodefectdensity)的浓度成正比的，近年来，不同的芯片元件对于bmd的规格要求不同，不符合bmd规格要求的产品，判定为不合格品，如果产品的bmd比规格要求低，导致产品不良率高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法。

2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法，包括如下步骤：

4、s1：根据预定的bmd水平，通过预定计算式，计算得到掺氮量的范围；

5、s2：计算得到掺氮量的范围进行多次实验，得到预定的bmd水平下的掺氮量；

6、s3：在晶棒拉制过程中，将得到的预定的bmd水平下的掺氮量投入到硅料中进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种控制单晶硅低氧产品BMD的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品BMD的方法，其特征在于：所述预定计算式为：y=kmN+b；

3.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品BMD的方法，其特征在于：所述S3步骤中，拉晶过程中，使用氮化硅进行掺氮。

4.如权利要求3所述的控制单晶硅低氧产品BMD的方法，其特征在于：在晶棒拉制过程中，在投料过程中将所述氮化硅投入到硅料中。

5.如权利要求3所述的控制单晶硅低氧产品BMD的方法，其特征在于：所述氮化硅中掺氮量的计算式为：

【技术特征摘要】

1.一种控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：所述预定计算式为：y=kmn+b；

3.如权利要求1所述的控制单晶硅低氧产品bmd的方法，其特征在于：所述s3步骤中，拉...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小红，芮阳，曹启刚，王黎光，伊冉，马吟霜，王忠保，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：