【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体多线切割方法，具体涉及一种半导体单晶硅锭切片前检测方法。
技术介绍
1、硅片的翘曲（warp）是半导体制造和光伏产业中一个关键的质量问题，在单晶硅生长阶段及晶圆切割时都会引发翘曲，现有技术中，先晶棒拉制，晶棒拉制完成后将晶棒切割成晶锭，然后进行晶棒品质检测，以使拉制的晶棒符合目标产品规格要求，再将符合产品规格要求的晶锭切割成硅片，有的硅片会发生裂片或形貌不良或warp偏大等异常问题，因在晶棒品质检测不进行杂质分布检测，导致切片完成后硅片出现异常，无法判定是单晶问题还是切片问题，造成一定加工成本的浪费。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供半导体单晶硅锭切片前检测方法，以预先知晓晶锭体内杂质不均状态，避免造成加工成本浪费。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种半导体单晶硅锭切片前检测方法，包括以下步骤：
4、步骤s1：在切割晶锭前，从晶锭上截取检测样片；
5、步骤s2：将检测样片进行产品规格检测，...
【技术保护点】
1.一种半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述限度样本通过以下步骤得到：
3.如权利要求2所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述S33具体为：第一步：将数个实验硅片进行Warp检测，当实验硅片的Warp大于产品规格要求时得到初次样本硅片；
4.如权利要求1或3所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述面内分布为电阻率面内分布、碳含量面内分布、氧含量面内分布中的一种或几种。
5.如权利要求4所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述限度样本通过以下步骤得到：
3.如权利要求2所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述s33具体为：第一步：将数个实验硅片进行warp检测，当实验硅片的warp大于产品规格要求时得到初次样本硅片；
4.如权利要求1或3所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述面内分布为电阻率面内分布、碳含量面内分布、氧含量面内分布中的一种或几种。
5.如权利要求4所述的半导体单晶硅锭切片前检测方法，其特征在于，所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：石鑫，杨凯，赵延祥，芮阳，程博，白玉，张伟伟，何洋，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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