一种多芯片压力传感器及漂移补偿方法技术

本发明专利技术涉及一种多芯片压力传感器及漂移补偿方法，其传感器包括漂移补偿电路，漂移补偿电路包括正输出端、负输出端、主压力传感芯片以及至少一组从压力传感芯片组；每组从压力传感芯片组包括第一从压力传感芯片以及第二从压力传感芯片；每组从压力传感芯片组中，第一从压力传感芯片的输出端的负极以及主压力传感芯片的输出端的正极均与正输出端电连接，第一从压力传感芯片的输出端的正极以及第二从压力传感芯片的输出端的负极均与正输出端电连接，第二从压力传感芯片的输出端的正极以及主压力传感芯片的输出端的负极均与负输出端电连接；本发明专利技术能够降低传感器的零点偏移和增益误差，提高传感器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压力传感器，具体涉及一种多芯片压力传感器及漂移补偿方法。

技术介绍

1、现有技术均采用单芯片方案来制作微机电系统压力传感器，采用微机电系统技术的压力传感器采用4个惠斯顿电桥结构连接的压敏电阻组成。当这些传感器上没有压力时，惠斯顿电桥中的所有电阻值都是相等的。理论情况下，当有外力施加于电桥时，两个相向电阻的阻值将增加，而另两个电阻的阻值将减小，而且增加和减小的阻值彼此相等。但是，实际情况下传感器存在偏移和增益误差。偏移误差是指没有压力施加于传感器时存在输出；增益误差指传感器输出相对于施加于传感器外力的敏感程度。

2、因此，现有技术中采用单芯片方案来制作微机电系统压力传感器无法解决传感器的零点漂移、量程漂移及长期稳定性等技术问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中，采用单芯片方案来制作微机电系统压力传感器无法解决传感器的零点漂移、量程漂移及长期稳定性等技术问题，本专利技术提供一种多芯片压力传感器及漂移补偿方法。

2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：

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【技术保护点】

1.一种多芯片压力传感器，其特征在于，包括漂移补偿电路，所述漂移补偿电路包括正输出端、负输出端、主压力传感芯片(1)以及至少一组从压力传感芯片组；每组所述从压力传感芯片组包括第一从压力传感芯片(2)以及第二从压力传感芯片(3)；

2.根据权利要求1所述的多芯片压力传感器，其特征在于，还包括第一气道(4)以及第二气道(5)，所述第一气道(4)与所述主压力传感芯片(1)的正面连通，所述第二气道(5)与所述主压力传感芯片(1)的背面连通；每组所述从压力传感芯片组中，所述第一从压力传感芯片(2)的正面与所述第二气道(5)接通，所述第一从压力传感芯片(2)的背面与所述第一气道(4)接通...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片压力传感器，其特征在于，包括漂移补偿电路，所述漂移补偿电路包括正输出端、负输出端、主压力传感芯片(1)以及至少一组从压力传感芯片组；每组所述从压力传感芯片组包括第一从压力传感芯片(2)以及第二从压力传感芯片(3)；

2.根据权利要求1所述的多芯片压力传感器，其特征在于，还包括第一气道(4)以及第二气道(5)，所述第一气道(4)与所述主压力传感芯片(1)的正面连通，所述第二气道(5)与所述主压力传感芯片(1)的背面连通；每组所述从压力传感芯片组中，所述第一从压力传感芯片(2)的正面与所述第二气道(5)接通，所述第一从压力传感芯片(2)的背面与所述第一气道(4)接通，所述第二从压力传感芯片(3)的正面与所述第一气道(4)接通，所述第二从压力传感芯片(3)的背面与所述第二气道(5)接通。

3.根据权利要求1所述的多芯片压力传感器，其特征在于，所述主压力传感芯片(1)包括压敏电阻r1、压敏电阻r2、压敏电阻r3以及压敏电阻r4；所述压敏电阻r1的一端分别与所述压敏电阻r2的一端以及电源的正极电连接，所述压敏电阻r1的另一端分别与所述压敏电阻r3的一端以及所述负输出端电连接，所述压敏电阻r2的另一端分别与所述压敏电阻r4的一端以及所述正输出端电连接；所述压敏电阻r3的另一端以及所述压敏电阻r4的另一端均接地。

4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，陈兴宇，
申请(专利权)人：中列武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：