光电转换装置及光电转换装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
因为可以制造廉价的光电转换装置，所以一直对使用非晶硅薄膜制造的光电转换 装置等进行研究。 使用等离子体CVD装置等可以容易制造使用非晶硅薄膜的光电转换装置。因此， 其被认为与使用单晶硅形成的所谓大块型光电转换装置相比，可以降低原料以及制造所需 的成本。 但是，使用非晶硅薄膜制造的光电转换装置有如下问题当其一直长时间暴露于 强光(例如盛夏的太阳下)时，在非晶硅薄膜中悬空键等的缺陷增加，并且该缺陷捕捉光生 载流子(电子和空穴)等，而使转换效率极度降低。该问题作为被称为斯特博勒-朗斯基 效应(Staebler-Wronski Effect)的光劣化的问题已被周知，并且该问题是使用非晶硅薄 膜制造的光电转换装置的普及扩大的障碍。 另外，因为串联(tandem)结构的光电转换装置可以实现高转换效率，所以已对层 叠非晶硅薄膜和微晶硅薄膜的串联式光电转换装置进行开发。通过层叠对短波长具有灵敏 度的非晶硅薄膜和对长波长具有灵敏度的微晶硅薄膜，扩大光的吸收波长区域，来提高转 换效率(例如，参照专利文献1)。 进而，还提出有通过防止形成串联结构的顶部元件的非晶硅薄膜的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换装置，包括：单元元件，包括：具有一导电型的第一杂质半导体层；半导体层，包括：第一半导体区域；以及第二半导体区域，其中，所述第一半导体区域中的晶体半导体的比率高于所述第一半导体区域中的非晶半导体的比率，所述第二半导体区域中的非晶半导体的比率高于所述第二半导体区域中的晶体半导体的比率，并且，所述第二半导体区域在所述非晶半导体中包括放射状晶体和具有针状生长端的结晶的双方；以及具有与所述第一杂质半导体层的所述导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中，依次层叠所述第一杂质半导体层、所述半导体层和所述第二杂质半导体层。

【技术特征摘要】
JP 2008-11-28 2008-303441一种光电转换装置，包括单元元件，包括具有一导电型的第一杂质半导体层；半导体层，包括第一半导体区域；以及第二半导体区域，其中，所述第一半导体区域中的晶体半导体的比率高于所述第一半导体区域中的非晶半导体的比率，所述第二半导体区域中的非晶半导体的比率高于所述第二半导体区域中的晶体半导体的比率，并且，所述第二半导体区域在所述非晶半导体中包括放射状晶体和具有针状生长端的结晶的双方；以及具有与所述第一杂质半导体层的所述导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中，依次层叠所述第一杂质半导体层、所述半导体层和所述第二杂质半导体层。2. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述晶体半导体是微晶半导体。3. 根据权利要求l所述的光电转换装置，其中，所述放射状晶体具有晶核和从所述晶核以放射状延伸的多个部分，并且，所述晶核是单晶半导体，所述部分是微晶半导体。4. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述具有所述针状生长端的结晶是微晶半导体。5 —种光电转换装置，包括单元元件，包括具有一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体和非晶半导体的半导体层；以及具有与所述第一杂质半导体层的所述导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中，依次层叠所述第一杂质半导体层、所述半导体层和所述第二杂质半导体层，所述半导体层的所述第一杂质半导体层一侧上的所述晶体半导体的比率高于所述半导体层的所述第一杂质半导体层一侧上的所述非晶半导体的比率，所述半导体层的所述第二杂质半导体层一侧上的所述非晶半导体的比率高于所述半导体层的所述第二杂质半导体层一侧上的所述晶体半导体的比率，并且，所述半导体在所述第二杂质半导体层一侧上的所述非晶半导体中包括放射状晶体和具有针状生长端的结晶。6. 根据权利要求5所述的光电转换装置，其中所述晶体半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟海聪志，远藤俊弥，大森绘梨子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]