【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制作设备和方法，更具体而言，涉及向基材。
技术介绍
半导体器件的制作通常如下在基材上堆叠薄膜形式的多种不同材料并图案化。为此，需要许多阶段的不同工艺，如沉积、光刻、蚀刻和清洁工艺。 在这些工艺中，光刻工艺包括在基材上沉积感光液的沉积工艺和在基材上供应显影液的显影工艺，蚀刻工艺包括在基材上供应蚀刻液和从基材上除去被显影的膜的工艺，清洁过程包括在基材上供应清洁液和从基材表面除去残留杂质的工艺。 沉积、显影、蚀刻、清洁工艺采用旋转式方法进行，其中基材放置在旋转卡盘上，并且在基材旋转的同时将处理液(感光液、显影液、蚀刻液或清洁液)供应到基材表面上。
技术实现思路
本专利技术提供一种供应处理液的单元，当喷嘴臂在等待位置等待的同时、在处理位置执行处理的同时以及在等待位置和处理位置之间移动的过程中，该单元可以将从喷嘴供应的处理液维持在预定温度，还提供使用该供应处理液的单元的基材处理设备和方法。 然而，本专利技术可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本专利技术受限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本专利技术的公开内容清楚和完整，并向本领域技术...
【技术保护点】
一种基材处理设备，包括：支撑基材的基材支撑单元；具有喷嘴和处理液管道的喷嘴臂，所述喷嘴安装在其上用于将处理液排放到置于所述基材支撑单元上的基材上，所述处理液管道内置在其中用于将处理液供应到所述喷嘴；和等待口，其提供所述喷嘴臂等待执行处理的位置，并通过利用所述喷嘴臂的热传递调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。
【技术特征摘要】
KR 2008-11-28 10-2008-0119904一种基材处理设备，包括支撑基材的基材支撑单元；具有喷嘴和处理液管道的喷嘴臂，所述喷嘴安装在其上用于将处理液排放到置于所述基材支撑单元上的基材上，所述处理液管道内置在其中用于将处理液供应到所述喷嘴；和等待口，其提供所述喷嘴臂等待执行处理的位置，并通过利用所述喷嘴臂的热传递调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。2. 如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述等待口包括其上放置所述喷嘴臂的臂支撑元件；禾口设置在所述臂支撑元件上的第一温度调节元件，用于调节所述臂支撑元件的温度。3. 如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述第一温度调节元件包括加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。4. 如权利要求3所述的基材处理设备，其中所述臂支撑元件呈长度相应于所述喷嘴臂的块状并沿着所述喷嘴臂的长度方向与所述喷嘴臂的下端表面接触，以通过热传导将热量传递到所述喷嘴臂，禾口所述第一温度调节元件内置在所述臂支撑元件中。5. 如权利要求2所述的基材处理设备，还包括喷嘴移动单元，用于在所述等待口的等待位置与所述基材上部的处理位置之间移动所述喷嘴臂，并用于通过传递移动的所述喷嘴臂的热量调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。6. 如权利要求5所述的基材处理设备，其中多个等待口沿着所述基材支撑单元的侧面并排设置，多个其上安装有喷嘴的喷嘴臂分别设置在每个等待口处，禾口所述喷嘴移动单元从多个喷嘴臂中选择一个喷嘴臂并将所选择的喷嘴臂从所述等待口的等待位置移动到所述基材上部的处理位置。7. 如权利要求6所述的基材处理设备，其中所述喷嘴移动单元包括保持所述喷嘴臂的保持元件；设置在所述保持元件上的第二温度调节元件，用于调节所述保持元件的温度；禾口移动元件，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述保持元件。8. 如权利要求7所述的基材处理设备，其中所述保持元件包括第一保持架和第二保持架，用于通过沿着垂直于所述喷嘴臂长度方向的方向彼此远离或接近地移动来保持所述喷嘴臂；禾口第一驱动器，用于驱动第一保持架和第二保持架。9. 如权利要求8所述的基材处理设备，其中第一保持架和第二保持架分别包括与所述喷嘴臂的侧面垂直接触设置的侧壁和从所述侧壁水平延伸接触所述喷嘴臂底面的底壁，禾口所述第二温度调节元件收容在第一保持架和第二保持架的侧壁内。10. 如权利要求9所述的基材处理设备，其中所述第二温度调节元件是加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。11. 如权利要求7所述的基材处理设备，其中所述移动元件包括支撑所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴相旭，高在升，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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