【技术实现步骤摘要】
CMOS有源像素传感器共享的放大器像素本申请是申请号为200680019262.6、申请日为2006年5月31曰、 专利技术名称为CMOS有源像素传感器共享的放大器像素的申请的分案申本专利技术大体上涉及CMOS图像传感器的领域，更具体地，涉及一种 图像传感器，在所述图像传感器中，多个光电探测器共享放大器。
技术介绍
在附图说明图1中，现有技术的图像传感器的2个共享的像素示意图包括两 个光电探测器(PD1和PD2)，每个光电探测器都具有相关联的传输门 (TG1和TG2),所述传输门(TG1和TG2)将电荷传输到公共浮动扩散 感测节点。行选择晶体管USEL)选择要读出的行，而具有复位门(RG) 的复位晶体管将公共浮动扩散感测节点(n+)复位到预定电压。源极跟 随器输入晶体管SF感测公共浮动扩散感测节点(n+)上的电压并且对 信号进行放大。图2中的现有技术的图像传感器是类似的概念，区别仅 在于四个光电二极管(PD1-PD4)和TG (TGI-TG4)共享公共部件。这些共享的放大器像素旨在使用规模较小的CMOS工艺来产生具有 高占空系数(nil factor)的小像素。在使用...
【技术保护点】
一种图像传感器，包括： 单位单元，所述单位单元具有多个像素，每个像素都包括光电探测器和传输门；所述单位单元包括： （ａ）多个浮动扩散，被浮动扩散互连层接合，其中在浮动扩散区中没有使用额外的Ｐ阱注入并且所述多个浮动扩散具有ｎ型源极漏极注入，并且其中ｎ型注入包围所述ｎ型源极漏极注入以用于减小结电容。
【技术特征摘要】
US 2005-6-2 60/686715;US 2006-5-25 11/4408941.一种图像传感器，包括单位单元，所述单位单元具有多个像素，每个像素都包括光电探测器和传输门；所述单位单元包括(a)多个浮动扩散，被浮动扩散互连层接合，其中在浮动扩散区中没有使用额外的P阱注入并且所述多个浮动扩散具有n型源极漏极注入，并且其中n型注入包围所述n型...
【专利技术属性】
技术研发人员：RM圭达什，R姆鲁蒂昂亚亚，W徐，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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