【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，且更具体地，涉及一种存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、三维(3d)存储器件，例如3d nand存储器件，是很有前途的存储器件，具有比常规平面存储器高得多的存储密度的潜力，并且可以满足消费电子、云计算和大数据对更大的容量和更好的性能的日益增加的需求。3d存储器件通常在单个芯片中包含多个堆叠层，以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更好的成本效率。
2、在3d存储器件中，形成贯穿多个堆叠层的沟道孔(channel hole，ch)，其中沟道形成材料填充在沟道孔中以形成竖直沟道。存储单元的其他结构围绕竖直沟道形成，以形成竖直定向的存储单元串。在制造期间，可以执行各种处理步骤以提高3d存储器件的性能或实现某些功能。一些处理步骤可能会引入某些问题，且需要进一步优化。
技术实现思路
1、根据本公开，提供了一种半导体器件制造方法，所述方法包括提供处理晶片。处理晶片具有彼此相邻的核心区域和阶梯结构(staircase structure，ss)区域。处理晶...
【技术保护点】
1.一种半导体器件制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，在去除所述存储膜的所述突出部分之后，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述杂质注入之后且在所述激光活化之前沉积所述半导体层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述杂质注入之前沉积所述半导体层。
8.根据权利要求5所述的方法，其中：
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述核心区...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，在去除所述存储膜的所述突出部分之后，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述杂质注入之后且在所述激光活化之前沉积所述半导体层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述杂质注入之前沉积所述半导体层。
8.根据权利要求5所述的方法，其中：
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述核心区域中的所述半导体层的顶表面低于所述ss区域中的所述半导体层的顶表面。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，控制所述激光活化以活化通过所述杂质注入掺杂到所述沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗利娜，肖亮，赵祎，伍术，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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