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存储器件及其制造方法技术
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文档序号:41440487
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一种半导体器件制造方法包括提供处理晶片。处理晶片具有核心区域和阶梯结构(SS)区域,并且包括底部导体层、底部导体层之上的导体/电介质层、以及在核心区域中并大致竖直地延伸穿过导体/电介质层的沟道孔(CH)。CH包括沟道层和围绕沟道层的存储膜。...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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