【技术实现步骤摘要】
本公开属于显示，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点，因而有着广阔的应用前景。
技术实现思路
1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，其中，所述显示基板包括：基底、位于所述基底上的像素限定层；所述像素限定层包括：多个像素挡墙；
3、所述像素挡墙包括：沿着背离所述基底方向依次设置的阻挡层和多个纳米微结构；所述纳米微结构周围形成有空气膜。
4、在一些实施例中，所述阻挡层的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0至0.5。
5、在一些实施例中，所述纳米微结构的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0.5至1.0。
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【技术保护点】
1.一种显示基板，其中，所述显示基板包括：基底、位于所述基底上的像素限定层；所述像素限定层包括：多个像素挡墙；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述阻挡层的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0至0.5。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述纳米微结构的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0.5至1.0。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述像素挡墙的高度为1微米至2微米；所述阻挡层的高度为0微米至1微米；所述纳米微结构的高度为0.5微米至2微米。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，各个所述阻挡层的...
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其中，所述显示基板包括：基底、位于所述基底上的像素限定层；所述像素限定层包括：多个像素挡墙；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述阻挡层的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0至0.5。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述纳米微结构的高度与所述像素挡墙的高度的比值为0.5至1.0。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述像素挡墙的高度为1微米至2微米；所述阻挡层的高度为0微米至1微米；所述纳米微结构的高度为0.5微米至2微米。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，各个所述阻挡层的高度相等，和/或各个所述纳米微结构的高度相等。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，相邻的所述纳米微结构之间间隙宽度与所述纳米微结构的宽度的比值为1.0至2.5。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，相邻的所述纳米微结构之间间隙宽度为100纳米至200纳米，所述纳米微结构的宽度为80纳米至100纳米。
8.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张月，崔颖，周丹丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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