【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及微纳器件的加工领域，具体来说是一种基于钙钛矿自掺杂效应制备的微纳同质结三级管技术。
技术介绍
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技术介绍
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1、随着我国工业化、信息化的快速发展，对各类微纳器件的需求日益增长。三级晶体管作为基本的半导体元器件之一，由在一块半导体衬底上相距很近的两个pn结构成，有pnp或npn两种结构，两个pn结把半导体分为三部分，其中中间部分为基区，两侧为集电区和发射区，三极晶体管具有放大电流的作用，可以把基区输入的微弱信号放大为较大的信号，是电子电路中的核心元件。目前传统的微纳三极晶体管器件的基础材料是以硅为代表的单质原子晶体，这类单质原子晶体存在一些难以克服的问题，例如硅本身属于间接带隙材料，非晶硅迁移率较低，硅的带隙不可调等等，因此传统微纳三极晶体管器件在制造过程中通常需要引入外部材料进行多部掺杂，且制造完成后器件的掺杂浓度即放大倍数不可调控。近年来，金属卤化物型钙钛矿材料凭借其优异的光电性能，被广泛应用于微纳器件的制造中，除此之外，钙钛矿还具有离子分布可调的特点，其内在离子在可以在外加电场的作用下重排，进而改变器件...
【技术保护点】
1.一种基于可控离子再分布的钙钛矿微型同质结三极晶体管的加工方法，其特征在于，结构：在作为底电极的ITO/玻璃衬底上有一区域为钙钛矿层，在钙钛矿层的两侧对称具有自ITO/玻璃衬底向上依次为第一氧化物层、中间电极层、第二氧化物层，第一氧化物层、中间电极层、第二氧化物的总高与钙钛矿层同高，在钙钛矿层和第二氧化物层的上面为连通的中间电极层；
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，通过分别对制备完成的器件的顶电极和中间电极及中间电极和底电极间的钙钛矿薄膜分别施加电压，驱动步骤(2)钙钛矿薄膜中游离离子空间重排，形成NPN或PNP的三极晶体管结构。
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【技术特征摘要】
1.一种基于可控离子再分布的钙钛矿微型同质结三极晶体管的加工方法，其特征在于，结构：在作为底电极的ito/玻璃衬底上有一区域为钙钛矿层，在钙钛矿层的两侧对称具有自ito/玻璃衬底向上依次为第一氧化物层、中间电极层、第二氧化物层，第一氧化物层、中间电极层、第二氧化物的总高与钙钛矿层同高，在钙钛矿层和第二氧化物层的上面为连通的中间电极层；
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，通过分别对制备完成的器件的顶电极和中间电极及中间电极和底电极间的钙钛矿薄膜分别施加电压，驱动步骤(2)钙钛矿薄膜中游离离子空间重排，形成npn或pnp的三极晶体管结构。
3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过对钙钛矿薄膜进行处理抑制钙钛矿薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳三极晶体管。
4.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过调整步骤(2)偏置电压的大小，控制钙钛矿薄膜局部内可移动离子的浓度分布，从而实现放大倍...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈小青，高文哲，张永哲，郑子龙，严辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：
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