【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及一种校正套准(overlay)的方法，更具体地，涉及一种在极紫外(euv)曝光工艺中校正套准的方法。
技术介绍
1、近来，随着半导体电路的线宽已经逐渐小型化，需要具有较短波长的光源。例如，使用euv光作为曝光光源。由于euv光的吸收特性，在euv曝光工艺中通常使用反射型euv掩模。此外，用于将euv光传输到euv掩模的照明光学器件和用于将从euv掩模反射的euv光投射到曝光目标上的投射光学器件可以包括多个反射镜。随着曝光工艺的难度增加，euv掩模或反射镜中的小误差会在晶圆上的图案形成中造成严重误差。
技术实现思路
1、专利技术构思涉及一种极紫外(euv)套准校正方法以及包括该euv套准校正方法的制造半导体装置的方法，该euv套准校正方法能够有效地校正euv曝光工艺中的套准误差(overlay error)。
2、此外，专利技术构思的技术挑战不限于上述技术挑战，并且通过下面的描述，本领域技术人员将清楚地理解其他未提及的技术挑战。
3、根据专利技术构思的...
【技术保护点】
1.一种校正极紫外套准的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，夹持电极包括以二维阵列结构布置的多个分电极，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中，掩模台包括在与掩模接触的表面上突出的多个突节，并且
4.根据权利要求1所述的方法，其中，变形掩模形成为抛物线的形状，所述抛物线具有作为上部的中心以及在第一方向上作为相应下部的相对边缘。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用变形掩模执行极紫外曝光工艺的步骤包括在绕第一方向的旋转方向上向变形掩模施加倾斜。
6.根据权利要求5所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种校正极紫外套准的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，夹持电极包括以二维阵列结构布置的多个分电极，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中，掩模台包括在与掩模接触的表面上突出的多个突节，并且
4.根据权利要求1所述的方法，其中，变形掩模形成为抛物线的形状，所述抛物线具有作为上部的中心以及在第一方向上作为相应下部的相对边缘。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用变形掩模执行极紫外曝光工艺的步骤包括在绕第一方向的旋转方向上向变形掩模施加倾斜。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，计算变形数据的步骤包括基于第一套准参数与第二套准参数之间的相关性来计算变形数据，在第二套准参数中，套准在扫描方向上远离第一方向上的所述中心二维地增大。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过变形掩模引入第二套准参数的第二套准，
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一光致抗蚀剂图案的步骤包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在使用变形掩模执行极紫外曝光工艺之前，执行去除晶圆上的第一光致抗蚀剂图案的返工，并且将新的光致抗蚀剂施用在晶圆上。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，变形掩模距晶圆的竖直高度在第一方向上变化，
11.一种校正极紫外套准...
【专利技术属性】
技术研发人员：申河喆，金度亨，朴柱温，李相焕，洪成哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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