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提供了能够有效地校正极紫外(EUV)曝光工艺中的套准误差的EUV套准校正方法和包括该EUV套准校正方法的制造半导体装置的方法。所述EUV套准校正方法包括：通过使用掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第一光致抗蚀剂(PR)图案；检查第一PR图...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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