【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着对半导体结构集成密度的要求的提高，半导体结构的关键尺寸逐渐减小，一方面，对半导体结构图形化处理的精度要求更高，另一方面，相邻的导电结构之间的间距不断缩小，上述因素导致制造过程中相邻的导电结构之间容易短路的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于避免或减轻目标接触结构中导电元素的扩散问题，从而避免或减少相邻的目标接触结构之间短路的问题。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有接触孔；在所述基底上形成初始接触结构和位于所述初始接触结构至少一侧的第一凹槽，所述初始接触结构包括层叠的第一扩散阻挡层、导电层和第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层随形覆盖所述接触孔并覆盖所述基底的部分顶面，所述导电层覆盖所述第一扩散阻挡层并填充所述接触孔，所述第二扩散阻挡层覆盖所述导电层的顶面，所述第一凹槽暴露所述初始接触结构的...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成所述初始接触结构和位于所述初始接触结构至少一侧的所述第一凹槽，包括：
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述初始接触结构的所述侧壁形成所述第三扩散阻挡层，包括：
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二扩散阻挡材料层的厚度大于所述第三扩散阻挡材料层的厚度。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述初始接触结构的所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成所述初始接触结构和位于所述初始接触结构至少一侧的所述第一凹槽，包括：
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述初始接触结构的所述侧壁形成所述第三扩散阻挡层，包括：
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二扩散阻挡材料层的厚度大于所述第三扩散阻挡材料层的厚度。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述初始接触结构的所述侧壁形成所述第三扩散阻挡层，包括：
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，去除位于所述牺牲层和所述牺牲层的侧壁上的所述第三初始扩散阻挡层，包括：
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质材料层的材料与所述牺牲层的材料相同。
9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二扩散阻挡材料层的厚度等于所述第三扩散阻挡材料层的厚度。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：许文涛，张林涛，杨蕾，李浩然，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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