半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆技术

本申请公开了半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、第一外延层、相互间隔设置的多个栅极沟槽、栅极、层间介质层、源极以及漏极。多个栅极沟槽设置于第一外延层中；多个栅极沟槽沿第一方向延伸；栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，第一栅极隔着栅介质层填充于栅极沟槽中，第二栅极隔着栅介质层设置于第一外延层顶部；层间介质层覆盖于栅极远离半导体衬底一侧，且具有沿第二方向延伸的接触孔；源极设置于层间介质层远离半导体衬底一侧，且通过接触孔与第一外延层接触；漏极设置于半导体衬底远离第一外延层的一侧。这样降低了器件的导通总电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨田公守，胡飞，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：