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本申请公开了半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、第一外延层、相互间隔设置的多个栅极沟槽、栅极、层间介质层、源极以及漏极。多个栅极沟槽设置于第一外延层中；多个栅极沟槽沿第一方向延伸；栅极包括相互接触的第一栅极和第...
该专利属于华为数字能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为数字能源技术有限公司授权不得商用。

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