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本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底具有接触孔；在基底上形成初始接触结构，初始接触结构包括层叠的第一扩散阻挡层、导电层和第二扩散阻挡层，第一扩散阻挡层随形覆盖接触孔并覆盖基底的部分顶面...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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