摄像装置制造方法及图纸

摄像装置具备半导体基板、在半导体基板上沿第1方向排列的多个像素、以及位于半导体基板的上方的第1信号线，多个像素中的各个像素包括：将光转换为信号电荷的光电转换部、具有与第1信号线电连接的栅极的晶体管、以及电容元件，在多个像素之中的第1像素中，晶体管的至少一部分在平面图中与电容元件重叠，第1信号线在平面图中不是在整个线宽上都与电容元件重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及摄像装置。

技术介绍

1、在数字相机等中使用图像传感器。作为图像传感器，例示ccd(电荷耦合器件(charge coupled device))图像传感器、cmos(互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor))图像传感器等。可以使用图像传感器构成摄像装置。在一例所涉及的摄像装置中，在半导体基板设置有光电二极管。在另一例所涉及的摄像装置中，在半导体基板的上方层叠有光电转换膜。

2、专利文献1公开了具有光电二极管的摄像装置。专利文献2公开了具有光电转换膜的摄像装置。在专利文献1及专利文献2中的摄像装置中，像素包括电容元件。将专利文献2的全部公开内容引用至本说明书中。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2016-105468号公报

6、专利文献2：日本特开2018-195803号公报

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的课题

2、需要能够高速摄像的摄像装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种摄像装置，具备：

2.如权利要求1所述的摄像装置，

3.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：

4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，

5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，

6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，

7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，还具备：

8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，

9.如权利要求1至8中任一项所述的摄像装置，

10.如权利要求1至9中任一项所述的摄像装置，

11.如权利要求10所述的摄像装置，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种摄像装置，具备：

2.如权利要求1所述的摄像装置，

3.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：

4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，

5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，

6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，

7.如权利要求1至6中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：西谷贵幸，佐藤好弘，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：