【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种调整装置及隔膜真空计。
技术介绍
1、以前，面向半导体制造装置的静电电容式隔膜真空计对经加热的真空腔室的真空压力进行测量。而且，通过真空腔室被加热，其周围变成高温，因此作为现有技术，有仅将耐热性高的传感器头设置于真空腔室附近，将耐热性低的测量电路利用缆线分离并设置于周围温度低的远处的场所的技术(例如，参照专利文献1)。
2、另外，在真空压力的测量中，要求不受温度影响而实施准确的压力测量，但由于真空计中的测量电路、传感器头在各个样品中产生偏差，因此需要成对地进行调整。进而，由于测量电路与传感器头各自具有不同的温度特性，所使用的温度环境也不同，因此也需要使各自分别发生温度变化来获取温度修正数据。
3、因此，在生产真空计的调整工序中，有如下的现有技术：对于测量电路的温度修正数据及传感器头的温度修正数据，利用恒温槽与加热器使测量电路与传感器头发生温度变化，基于各温度下的测定值来制成调整数据。
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]日本专利特愿2021-083125
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、但是，在所述的现有技术中，由于将测量电路与传感器头设置于一个恒温槽中，在传感器头安装加热器来调节温度(参照图16)，因此存在如下课题：无法获得传感器头的温度比测量电路低的情况下的测定值，无法获得能够进行准确的温度修正的调整数据。
3、[解决问题的技术手段]p>
4、为了解决所述课题并达成目的，本专利技术的调整装置包括：第一恒温槽，设置有传感器头；第二恒温槽，设置有测量电路；以及算出部，基于通过分别对所述第一恒温槽的温度与所述第二恒温槽的温度进行调节而获得的测定值，算出与温度修正相关的调整数据。
5、[专利技术的效果]
6、通过本专利技术，起到可获得能够进行准确的温度修正的调整数据的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种调整装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调整装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的调整装置，其特征在于，
4.一种调整装置，其特征在于，包括：
5.一种调整装置，其特征在于，包括：
6.一种隔膜真空计，具有传感器头、处理部、以及连接部，所述隔膜真空计的特征在于：
7.一种隔膜真空计，具有传感器头、连接部、以及处理部，所述隔膜真空计的特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种调整装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调整装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的调整装置，其特征在于，
4.一种调整装置，其特征在于，包括：
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉川康秀，小原圭辅，市原纯，佐藤公洋，津村佳宏，牛岛大，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：
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