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使用具有铜柱的衬底的双面模制焊盘栅格阵列封装平台制造技术

技术编号:41395289 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-20 19:18
本公开涉及一种使用具有铜柱的衬底的双面模制焊盘栅格阵列封装平台。使用具有不同表面光洁度选项的衬底的DSM‑LGA包含用于电通信的铜柱。所述铜柱包含在传统铜柱中不能实现的高宽比,以及与传统铜柱相比形成更矩形横截面的锥度比。另外,通过使用铜,所述铜柱包含相对较高热导率(与焊料相比),因此允许所述铜柱消散由集成电路及其它处理器产生的热能。铜柱可采用单个圆柱形柱的形式。替代地,可合并铜柱以形成用于包含I/O、接地/隔离及衬底支撑在内的各种应用的各种铜结构。

【技术实现步骤摘要】

本申请案涉及衬底,且更特定来说,涉及具有包含增加的高宽比的铜柱的双面模制(dsm)焊盘栅格阵列(lga)。


技术介绍

1、传统表面安装衬底包含用于电气连接的焊球。焊球通常是球形的。由于焊料的导热性,通常需要某些限制,例如焊球的最小尺寸及相邻/连续焊球之间的最小距离。


技术实现思路

1、一方面,本公开涉及一种衬底,其包括:第一表面;第二表面,其与所述第一表面相对;及第一铜柱,其安置于所述第二表面上,其中所述第一铜柱包括至少0.67的高宽比。

2、另一方面,本公开涉及一种衬底,其包括:第一表面;第二表面,其与所述第一表面相对;第一铜柱,其安装到所述第二表面;第二铜柱,其安装到所述第二表面;及铜结构,其位于所述第一铜柱与所述第二铜柱之间,所述铜结构为所述第一铜柱及所述第二铜柱形成射频屏蔽。

3、另一方面,本公开涉及一种衬底,其包括:第一表面;第二表面,其与所述第一表面相对;及铜结构,其包括多个合并铜柱,其中所述多个合并铜柱与安置于所述第一表面上的集成电路形成电连接。

【技术保护点】

1.一种衬底,其包括:

2.根据权利要求1所述的衬底,其中所述高宽比为至少0.80。

3.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括第二铜柱,其中

4.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述第一表面上且耦合到所述铜柱的集成电路。

5.根据权利要求1所述的衬底,其中所述铜柱包括至少0.9的锥度比。

6.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括第二铜柱,其中

7.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述铜柱上的电镀材料。

8.根据权利要求7所述的衬底,其中所述电镀材料包括镍及金。

9.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述铜柱上的焊料。

10.一种衬底,其包括:

11.根据权利要求10所述的衬底,其中所述铜结构包括电接地的铜条。

12.根据权利要求10所述的衬底,其中所述第一铜柱包括至少0.67的高宽比。

13.根据权利要求10所述的衬底,其进一步包括第三铜柱,其中所述第一铜柱与所述第三铜柱之间的节距小于400微米。p>

14.根据权利要求10所述的衬底,其进一步包括位于所述第一铜柱或所述第二铜柱中的一者的表面上的材料。

15.一种衬底,其包括:

16.根据权利要求15所述的衬底,其中:

17.根据权利要求15所述的衬底,其中所述铜结构包括至少0.67的高宽比。

18.根据权利要求15所述的衬底,其中所述铜结构包括:

19.根据权利要求18所述的衬底,其中所述铜结构进一步包括相对于所述第二区段垂直的第三区段。

20.根据权利要求15所述的衬底,其中所述铜结构包括铜环。

...

【技术特征摘要】

1.一种衬底,其包括:

2.根据权利要求1所述的衬底,其中所述高宽比为至少0.80。

3.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括第二铜柱,其中

4.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述第一表面上且耦合到所述铜柱的集成电路。

5.根据权利要求1所述的衬底,其中所述铜柱包括至少0.9的锥度比。

6.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括第二铜柱,其中

7.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述铜柱上的电镀材料。

8.根据权利要求7所述的衬底,其中所述电镀材料包括镍及金。

9.根据权利要求1所述的衬底,其进一步包括安置于所述铜柱上的焊料。

10.一种衬底,其包括:

11.根据权利要求10所述的衬底,其中所述铜结构包括电接地...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙力崔昌圭萨拉·哈尼
申请(专利权)人:安华高科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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