双折射晶体材料、制备方法以及光学器件技术

本申请提供了一种双折射晶体材料、制备方法以及光学器件。该双折射晶体材料包括化学式为AX<subgt;u</subgt;R<subgt;4‑u</subgt;的阴离子，其中，0＜u＜4，双折射晶体材料中的阴离子具有四面体构型，其中X和R分别构成四面体构型的四个顶点，A构成四面体构型的中心原子，X选自卤素原子，R选自内部含有π键的基团。该双折射晶体材料中的阴离子的极化各向异性显著较高，因而该双折射晶体材料具有显著较高的双折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学材料，尤其涉及一种双折射晶体材料、制备方法以及光学器件。

技术介绍

1、光学各向异性是指材料在不同方向上的不同光学特性，是线性和非线性光学器件的关键组成部分。当自然光入射到各向异性晶体上时，会产生两束折射光，这种现象被称为双折射，是光学各向异性的一种表现。双折射现象对宽光谱范围内的光操纵中起着至关重要的作用，因此双折射材料被广泛应用于光学元器件中。

2、在传统技术中，常见的双折射材料主要有方解石caco3晶体、α-bab2o4晶体、yvo4晶体、金红石tio2晶体、linbo3晶体以及mgf2晶体等。目前，使用双折射晶体材料创建和分析深紫外波段（波长在200nm以下的波段）的偏光是必不可少的，因为深紫外光源在193nm光刻、微加工、光谱学、显微镜和光化学等各种领域的新兴应用数量迅速增加。但大多数双折射晶体材料在深紫外区域是不透明的。mgf2晶体是一种常用的深紫外双折射材料，但是其双折射率过低也限制其在许多具体场景的应用。

3、近来，由例如氟磷酸根离子（po3f2﹣）和氟硫酸根离子（so3f﹣）等阴离子组成的化合物能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料中包括化学式为AXuR4-u的阴离子，其中，0＜u＜4，所述双折射晶体材料中的阴离子具有四面体构型，其中X和R分别构成所述四面体构型的四个顶点，A构成所述四面体构型的中心原子，X选自卤族原子和氧族原子中的至少一种，R选自内部含有π键的基团。

2.根据权利要求1所述的双折射晶体材料，其特征在于，在所述双折射晶体材料中，R选自氰基，A选自硼原子、磷原子或硫原子；和/或，

3.根据权利要求2所述的双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料的阴离子的化学式为BFu(CN)4-u﹣。

4.根据权利要求1~...

【技术特征摘要】

1.一种双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料中包括化学式为axur4-u的阴离子，其中，0＜u＜4，所述双折射晶体材料中的阴离子具有四面体构型，其中x和r分别构成所述四面体构型的四个顶点，a构成所述四面体构型的中心原子，x选自卤族原子和氧族原子中的至少一种，r选自内部含有π键的基团。

2.根据权利要求1所述的双折射晶体材料，其特征在于，在所述双折射晶体材料中，r选自氰基，a选自硼原子、磷原子或硫原子；和/或，

3.根据权利要求2所述的双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料的阴离子的化学式为bfu(cn)4-u﹣。

4.根据权利要求1~3任意一项所述的双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料包括rbbf(cn)3。

5.根据权利要求1~3任意一项所述的双折射晶体材料，其特征在于，所述双折射晶体材料的带隙在6.2ev以上，所述双折射晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴立明，李梦月，陈玲，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：