引晶放肩工艺、断线分析方法、介质、终端及单晶炉技术

本发明专利技术属于单晶技术领域。鉴于现有通过人工的主观经验进行熔接和引晶容易导致放肩断线的问题，本申请公开了一种引晶放肩工艺、断线分析方法、介质、终端及单晶炉，该工艺通过视觉监测装置采集熔料图像和籽晶的熔接光圈图像，基于图像处理进行引晶放肩操作，为稳定拉晶转态提供了判定依据，从而有利于提高拉晶的稳定性，减少断线率。该断线分析方法通过获取单晶炉的参数，基于数据异常处理进行断线原因分析，可快速找到断线原因，从而为重新拉晶提供了依据，以此保证拉晶产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶，具体涉及一种引晶放肩工艺、断线分析方法、介质、终端及单晶炉。

技术介绍

1、单晶硅具有准金属的物理性质，具有显著的半导电性，是半导体元件加工的主要原料，现有的拉晶工艺通常是通过单晶炉对硅料进行加热熔化，在合适的温度下，经过熔料，熔接，稳温，引晶，放肩，转肩，等径和收尾等步骤完成单晶硅柱状成品的拉制。其中，放肩是整个拉晶过程中重要的一道工序，一根单晶拉制的开始，放肩的成功与否，直接关系到拉晶的成品率。

2、目前，晶硅厂家的自动化控制程度普遍不高，在熔接流程中，工作人员通过肉眼观察熔接效果，待充分熔接后，降低加热器功率，工作人员根据主观经验设定引晶液温，系统调整加热器功率至设定的引晶功率。

3、其一方面由于不同的车间和单晶炉存在的差异较大，一致性较差，成功率较低，在放肩阶段容易导致断线，造成拉晶产能低，成本高；另一方面，还需要投入大量的人力资源。

技术实现思路

1、鉴于上述现有的晶硅厂家通过人工的主观经验进行熔接和引晶容易导致放肩断线的问题，本专利技术的目的之一在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引晶放肩工艺，应用于单晶炉中，所述单晶炉具有主加热器、底加热器、视觉监测装置和温度监测装置，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的引晶放肩工艺，其特征在于，所述引晶的平均拉速为4mm/min～5mm/min，引晶长度260mm。

3.根据权利要求2所述的引晶放肩工艺，其特征在于，所述放肩的提拉速度为0.9mm/min～1.1mm/min。

4.一种基于权利要求3所述的引晶放肩工艺的断线分析方法，其特征在于，包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的断线分析方法，其特征在于，所述步骤S10还包括：获取引晶开始前和引晶结束后...

【技术特征摘要】

1.一种引晶放肩工艺，应用于单晶炉中，所述单晶炉具有主加热器、底加热器、视觉监测装置和温度监测装置，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的引晶放肩工艺，其特征在于，所述引晶的平均拉速为4mm/min～5mm/min，引晶长度260mm。

3.根据权利要求2所述的引晶放肩工艺，其特征在于，所述放肩的提拉速度为0.9mm/min～1.1mm/min。

4.一种基于权利要求3所述的引晶放肩工艺的断线分析方法，其特征在于，包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的断线分析方法，其特征在于，所述步骤s10还包括：获取引晶开始前和引晶结束后的液温偏差。

6.根据权利要求5所述的断线分析方法，其特征在于，所述若底加热器的实际加热时长＞初始加热时长时，生成第一断线原因还包括：

7.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：尔火阿来，刘要普，李国华，袁梦，唐元凤，
申请(专利权)人：四川永祥光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：