【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及oled材料，具体的说涉及一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法。
技术介绍
1、实现oled商品化需要解决的首要问题是如何保证器件的稳定发光。因oled的有机材料对于水汽及氧气等物质非常敏感，因此必须采用各种方法对oled器件进行有效封装，避免器件与水氧接触，以降低器件的老化速率，延长器件的使用寿命。oled器件分为玻璃基板和塑料基板，针对不同的基板，封装技术也略有不同。传统的oled器件封装是在刚性基板（玻璃或金属）上制作电极和各有机薄膜功能层后，对这类器件进行封装时一般是在器件上加一个后盖板，环氧树脂在经过紫外固化后将基板和盖板粘接成一个整体。这样在器件内部形成一个封闭的屏罩，把器件的各个功能层和空气隔开，而空气中的水、氧等成分只能通过基板和盖板之间的环氧树脂向器件内部进行渗透，这样能有效地防止oled的各功能模块与空气中的水氧等成分发生反应。
2、20世纪70年代初，以pecvd制备的氮化硅薄膜已大规模应用在硅集成电路工艺中作钝化层，氮化硅因其致密性的优点，能有效阻隔水汽和氧气的侵入，因此，氮化硅薄膜也可以应用于oled器件封装。但随着温度升高，oled器件的有机材料会产生结晶现象，温度越高结晶速度越快，有机材料出现结晶将导致器件的寿命大大缩短。进行oled封装时，氮化硅薄膜应在较低温度（< 0℃）下进行。封装后oled器件的使用寿命较封装前提高两个数量级。虽然氮化硅薄膜封装能有效延长oled器件的使用寿命，但在实际工艺中薄膜多出现针孔和晶粒边界缺陷等现象，大大降低了薄膜致密性，封
3、现有制备oled主要采用pecvd技术进行表面氮化硅和氮氧化硅薄膜封装；pecvd技术优势在于沉积速率快，制备薄膜的厚度在1微米作用；缺点是因其沉积速率快，膜层致密性偏差，需要用多层结构实现封装；因此其制备工序复杂，成本偏高。同时pecvd的结合强度偏弱，外部环境下结合强度较差，容易发生脱落，且其致密性差、均匀性差、沉积温度偏高，影响整体oled显示屏的寿命。
4、因此，提供一种可同时解决结合强度不足，针孔，晶粒缺陷，致密性差以及透光性能差等问题的有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，包括以下步骤：
4、（1）取含有电子传输层和导电层的oled基体，将oled基体传输至封装节点-离子束腔室；
5、（2）取阴极靶材经机械触发发生弧光放电形成金属等离子体，然后通入o2，o2在等离子体的作用下发生电离，形成o离子；
6、（3）形成金属和氧的等离子体后，通过前置脉冲磁场对等离子体的弧斑运动速率和运动范围进行调控；
7、（4）不添加负压脉冲电场，使oled基体表面无电场，进行等离子体沉积；
8、（5）开启脉冲电场，在脉冲电场作用下，oled基体表面产生感生电场，等离子体瞬间获得高能量，在高能量作用下，oled基体表面沉积离子束发生高能注入；
9、（6）交替重复步骤（4）和步骤（5）5-20次，得到有机发光半导体显示器件封装氧化物。
10、进一步，步骤（2）中所述阴极靶材为铝、镁、钛和锆中的任意一种。
11、进一步，步骤（2）中所述o2通入量为20-100sccm。
12、进一步，步骤（3）中所述前置脉冲磁场的弧光放电电流为80-150a，脉冲电流为5-30a，脉冲频率为10-100hz。
13、更进一步，步骤（3）中的脉冲磁场包括 脉冲驱动磁场，脉冲引出磁场和脉冲扫描磁场；
14、其中，脉冲驱动磁场强度为1020mt，脉冲频率50-200hz，脉宽为1-10ms，脉冲波形为锯齿波、方波、三角波或者正弦波;
15、脉冲引出磁场强度在0-20mt连续变化，频率为10-20hz，脉宽50-100ms，脉冲波形可锯齿波、方波、三角波或者正弦波；（频率为20hz，脉宽为50ms时，其即为直流引出，其最低脉冲占空比为50%），脉冲引出磁场接近于直流磁场强度，添加脉冲特性能有效对等离子体进行展宽和均匀化。
16、脉冲扫描磁场强度-20-20mt连续变化，频率为30-100hz，脉宽1-10ms。
17、采用上述进一步方案的有益效果在于：脉冲磁场的引入能大幅提升阴极靶材弧斑的面积，提升50%以上，弧斑运动速率提升2-5倍。在弧斑运动过程中产生的等离子体更加均匀；单个磁过滤管道引出的磁过滤等离子体有效区域可提升2-3倍。
18、进一步，步骤（4）中所述离子沉积能量为1-30ev，起弧电流为90-120a，沉积时间为10-300s。
19、采用上述进一步方案的有益效果在于：离子沉积能量在1-30ev，不会对oled有机物发光大分子产生损伤，不改变有机物oled大分子的发光性能。无脉冲偏压沉积时，膜层内应力高可达1gpa，从而引起oled基体卷曲。
20、进一步，步骤（5）中所述脉冲电场电压为1-50kv，瞬间功率为1mw，脉宽为1-5μs，频率为10-1000hz。
21、更进一步，步骤（5）中所述等离子体瞬间获得10-100kev的高能量。
22、采用上述进一步方案的有益效果在于：高功率脉冲偏压作用下在界面设计缺陷，缺陷能大幅吸收水汽分子，降低水氧透过率；同时，高功率脉冲偏压产生的缺陷能使得内应力大幅下降，最低可为50mpa。
23、更进一步，步骤（5）中所述高能注入的注入深度为10-50nm。
24、本专利技术的有益效果在于：
25、本专利技术的方案中无负脉冲偏压和脉冲偏压的循环组合能够同时有机融合解决内应力、结合强度、oled大分子损伤等问题以及保持产品的高透光性。本专利技术的方法形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好,且与聚合物基体结合良好。本专利技术制备温度低，沉积温度小于70℃，元素含量和温度均可调节。双脉冲离子束技术可方便控制膜厚在纳米量级并与基体实现钉扎结合；同时双脉冲离子束能在大面积内实现高均匀性和高透光率。而采用本专利技术双脉冲技术制备透明显示覆铜板具有结合强度高、沉积温度低、膜层致密性好、大面积均匀性好，以及透光性优异等优点。
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1.一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述阴极靶材为铝、镁、钛和锆中的任意一种。
3.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述O2通入量为20-100sccm。
4.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述前置脉冲磁场的弧光放电电流为80-150A，脉冲电流为5-30A，脉冲频率为10-100Hz。
5.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述离子沉积能量为1-30eV，起弧电流为90-120A，沉积时间为10-300s。
6.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述脉冲电场电压为1-50kV，瞬间功率为1MW，脉宽为1-5μs，频率为10-1000Hz。
7.根
8.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述高能注入的注入深度为10-50nm。
...【技术特征摘要】
1.一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述阴极靶材为铝、镁、钛和锆中的任意一种。
3.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述o2通入量为20-100sccm。
4.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述前置脉冲磁场的弧光放电电流为80-150a，脉冲电流为5-30a，脉冲频率为10-100hz。
5.根据权利要求1所述一种有机发光半导体显示器...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，陈小曼，陈琳，庞盼，
申请(专利权)人：顺束科技天津合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：
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