一种多级电子阻挡薄膜、钙钛矿太阳能电池以及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多级电子阻挡薄膜、钙钛矿太阳能电池以及制备方法，多级电子阻挡薄膜具有A1‑B‑A2结构，其中，A1为漏电阻挡层，B为电子阻挡主体层，A2为界面钝化层，电子阻挡主体层B由NiO、V<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;、CuO、CuSCN、CuI中任意一种材料制备，漏电阻挡层A1和界面钝化层A2分别由无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硅化物、无机硫化物、碳材料中任意一种材料制备。漏电阻挡层A1与透明导电电极接触，减少了钙钛矿太阳能电池漏电的可能性，界面钝化层A2与钙钛矿吸光层接触，提升钙钛矿吸光层界面的稳定性，提升钙钛矿太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池制备，特别涉及一种多级电子阻挡薄膜、钙钛矿太阳能电池以及制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿太阳能电池分为正型n-i-p钙钛矿电池和反型p-i-n钙钛矿电池。相对正型钙钛矿电池，反型钙钛矿电池不需要使用具有高光催化活性的tio2以及贵价空穴传输材料spiro-ometad，可低温制备、工艺简单、稳定性好。尽管如此，目前的高效率大部分为正型钙钛矿电池，转化效率最高已经达到25.6%，但反型钙钛矿电池的转化效率大部分集中在22~24%。在反型钙钛矿电池中，电子阻挡层的优化至关重要。

2、传统的电子阻挡结构一般采用单层结构，可选择的材料较少。一般而言，可用于电子阻挡的材料一般是深能级半导体材料，需要兼具空穴迁移率高和电子迁移率低两方面特点。一般而言，半导体材料的空穴迁移率都显著低于电子迁移率，单层电子阻挡层往往需要制备得非常薄（几个纳米至十几个纳米），同时需要一定的缺陷密度（如氧空位等）来实现较高的空穴迁移率。极薄的电子阻挡层增加了漏电的可能性，但是一旦提升电子阻挡层厚度至几十个纳米以上的水平，其较低的空穴迁移率又会带来太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述多级电子阻挡薄膜具有A1-B-A2结构，其中，A1为漏电阻挡层，B为电子阻挡主体层，A2为界面钝化层，电子阻挡主体层B由NiO、V2O5、CuO、CuSCN、CuI中任意一种材料制备，漏电阻挡层A1和界面钝化层A2分别由无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硅化物、无机硫化物、碳材料中任意一种材料制备。

2.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述无机氧化物分别为以下材料中的任一种：氧化锑、三氧化二铝、氧化钴、三氧化二硼、氧化铋、三氧化铬、氧化铜、氧化镁、三氧化钼、二氧化硅、氧化钒、氧化锆，无机氮化物分别为以下材料中的任...

【技术特征摘要】

1.一种多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述多级电子阻挡薄膜具有a1-b-a2结构，其中，a1为漏电阻挡层，b为电子阻挡主体层，a2为界面钝化层，电子阻挡主体层b由nio、v2o5、cuo、cuscn、cui中任意一种材料制备，漏电阻挡层a1和界面钝化层a2分别由无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硅化物、无机硫化物、碳材料中任意一种材料制备。

2.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述无机氧化物分别为以下材料中的任一种：氧化锑、三氧化二铝、氧化钴、三氧化二硼、氧化铋、三氧化铬、氧化铜、氧化镁、三氧化钼、二氧化硅、氧化钒、氧化锆，无机氮化物分别为以下材料中的任一种：碳氮化铝、氮化铝、氮化硼、氮化钙、氮化铬、氮化铕、氮化镁、氮化硅、氮化钛、氮化钒、氮化锆、氮化镓，无机碳化物分别为以下材料中的任一种：碳化铝、碳化硼、碳化铬、碳化钼、碳化硅、碳化钛、碳化钒、碳化钨、碳化锆，无机硅化物分别为以下材料中的任一种：硅化钴、硅化镁、硅化钼、硅化铌、硅化钛、硅化钨、硅化锆，无机硫化物分别为以下材料中的任一种：硫化铝、硫化锑、硫化铋、硫化钡、硫化硼、硫化钙、硫化铬、硫化钴、硫化铕、硫化镓、硫化镁、硫化钼、二硫化硅、硫化钨、硫化钒、硫化锆，碳材料分别为石墨烯及其衍生物、石墨炔及其衍生物、碳纳米管中的任意一种。

3.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州纤纳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：