充电控制用半导体集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种充电控制用半导体集成电路，在充电控制用ＩＣ中，即使是在电压输入端子上连接有旁路电容的情况下，也能够在电源断开时防止内部电路进行误动作。充电控制用半导体集成电路具有：电流控制用晶体管（Ｑ１），其连接在电压输入端子和输出端子之间，用于控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流；电源监视电路（１２），其用于检测所述电压输入端子的输入电压状态；晶体管元件（Ｑ０），其连接在所述电压输入端子与接地电位点之间，在所述电压输入端子上连接有旁路电容（Ｃ１），在充电控制用半导体集成电路中在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入电压已被切断的情况下，使所述晶体管元件成为导通状态，从而使所述旁路电容放电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二次电池的充电控制用半导体集成电路，特别涉及具有在电源断开时使旁路电容(bypass condenser)的电荷放电的功能的充电控制用IC(半导体集成电路)。
技术介绍
在二次电池的充电装置中，使用安装有充电控制电路的IC,该充电控制电路通过电流控制用的晶体管来控制充电电流，所述电流控制用的晶体管由设置在输入端子和与二次电池连l妄的输出端子之间的MOSFET (绝缚j册才及型场效应晶体管，下文中称为MOS晶体管)构成，从AC适配器(AC adapter)等直流电源供给的直流电压被输入到上述输入端子。在充电控制用IC中，为了充电而输入到IC中的直流电压成为IC的内部电3各的电源电压，因此，为了防止因噪声飞入输入电压而导致内部电路进行误动作，在芯片外部在电压输入端子与接地点之间设置有旁路电容。专利文献l: JP特开平6-6142号公报在具有旁路电容的如图3的(A)所示的二次电池的充电装置中，在卸下了 AC适配器的情况下，如图3的(B)所示，残留在旁路电容中的电荷从电压输入端子供给至充电控制用IC的内部电路，从而内部电路会进行误动作，在例如内置有LED (发光二极管)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电控制用半导体集成电路，其具有：电流控制用晶体管，其连接在电压输入端子和输出端子之间，用于控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流；电源监视电路，其用于检测所述电压输入端子的输入电压状态；以及晶体管元件，其连接在所述电压输入端子与接地电位点之间，　在所述电压输入端子上连接有旁路电容，　所述充电控制用半导体集成电路的特征在于，　在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入电压已被切断的情况下，使所述晶体管元件成为导通状态，从而使所述旁路电容放电。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-11 2008-2331101.一种充电控制用半导体集成电路，其具有电流控制用晶体管，其连接在电压输入端子和输出端子之间，用于控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流；电源监视电路，其用于检测所述电压输入端子的输入电压状态；以及晶体管元件，其连接在所述电压输入端子与接地电位点之间，在所述电压输入端子上连接有旁路电容，所述充电控制用半导体集成电路的特征在于，在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入电压已被切断的情况下，使所述晶体管元件成为导通状态，从而使所述旁路电容放电。2. 根据权利要求1所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于， 所述晶体管元件是静电保护用的场效应晶体管，所述电源监视电路的输出被附加到该晶体管的栅极端子上。3. 根据权利要求1或2所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于， 在通过所述电源监视电路检测到所述电压输入端子的输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑川源太郎，高桥佳周，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]