光半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明专利技术的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背 光灯光源等发光装置、或能够用于摄影机、数码相机等受光装置等的光半 导体装置及其制造方法，尤其涉及薄型/小型之类的光的取出效率或对比 度优良、能够得到良好成品率的。
技术介绍
近年来，伴随电子设备的小型化/轻量化，搭载于电子设备的发光装置(发光二极管等)或受光装置(CCD或光电二极管等)等光半导体装置也 逐渐向小型化开发。这些光半导体装置例如在绝缘基板的双面分别形成了 一对金属导体图案的双面通孔印制电路板上使用。具有如在双面通孔印制 电路板载置发光元件或受光元件等光半导体元件，使用丝等电导通金属导 通图案和光半导体元件的构造。但是，对于这种光半导体装置，使用双面通孔印制电路板是必要条件。 该双面通孔印制电路板至少具有0.1mm左右以上的厚度，因此，成为妨碍 表面安装型光半导体装置彻底薄型化的原因。所以，需要开发不使用这种 印制电路板的构造的光半导体装置(例如专利文献1)。专利文献1日本特开2005 —79329号公报。在专利文献1公开的发光装置在基板上通过蒸镀等形成薄的金属膜作 为电极，并与发光元件一起利用透光性树脂密本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置的制造方法，其中，包括：　在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；　在所述第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；　在所述第一及／或第二导电构件上载置光半导体元件的第 三工序；　用由透光性树脂构成的密封构件覆盖所述光半导体元件的第四工序；　除去所述支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-9 2008-231569;JP 2009-3-11 2009-057258;J1.一种光半导体装置的制造方法，其中，包括在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在所述第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在所述第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖所述光半导体元件的第四工序；除去所述支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。2、 根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述第一及第二导电构件是通过镀敷形成的。3、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述第一工序包括如下工序在所述支承基板上形成具有相互远离的开口部的保护膜，在该开口部内形成所述第一及第二导电构件的工序。4、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述第一工序包括如下工序在所述支承基板上形成导电构件之后，对该导电构件进行蚀刻而形成相互远离的第一及第二导电构件的工序。5、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述第三工序在所述第二工序之前进行。6、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述基体具有比所述第一及第二导电构件的上表面突出的突出部。7、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，在所述第五工序中，在包括所述第一及/或第二导电构件的位置切断进行分片化。8、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，在所述第五工序中，在远离所述第一及第二导电构件的位置切断进行分片化。9、 根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，所述支承基板的线膨胀系数与所述基体的线膨胀系数的差为30%以10、 一种光半导体装置，其特征在于，具有光半导体元件；第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤友正人，玉置宽人，西岛慎二，反田祐一郎，三木伦英，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]