【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、用于蚀刻和沉积的衬底处理构成了半导体行业的支柱。虽然可以利用多种等离子体处理技术，但是感应耦合等离子体提供了诸如控制离子能量和离子角分布的多种方式之类的有利特征。控制离子能量和离子角分布可以为蚀刻和沉积提供许多优点。可以通过改变影响本体等离子体特性的参数以及改变静电卡盘上的电参数(例如偏置电压)来控制离子行为。在这两个控制旋钮中，正在不断开发改变静电卡盘上的电参数的方法，以控制离子能量和离子角分布。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述滤波器是陷波滤波器，其中所述陷波滤波器耦合到非正弦电压波形源。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述陷波滤波器包括12MHz与100MHz之间的阻带频率。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述滤波器是低通滤波器，其中所述低通滤波器耦合到DC源。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述低通滤波器包括小于5MHz的截止频率。
6.根据权利要求2所述的装置，其中所述非正弦电压波形源输出400KHz-4000kHz范围内的电压信号。
7.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述滤波器是陷波滤波器，其中所述陷波滤波器耦合到非正弦电压波形源。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述陷波滤波器包括12mhz与100mhz之间的阻带频率。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述滤波器是低通滤波器，其中所述低通滤波器耦合到dc源。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述低通滤波器包括小于5mhz的截止频率。
6.根据权利要求2所述的装置，其中所述非正弦电压波形源输出400khz-4000khz范围内的电压信号。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述正弦电压波形匹配网络耦合到正弦电压波形生成器。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述rf匹配网络促进高达100kv的功率输送。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述rf匹配网络促进在13.56mhz与100mhz之间的范围内的功率输送。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述静电卡盘包括导电板和所述导电板上的绝缘层。
11.一种装置，其包括：
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述正弦电压波形生成器产生13.56mhz至100mhz的功率，功率范围在0-100kw之间。
13.根据权利要求11所述的装置，其中所述非正弦电压波形生成器被配置为在400khz-4000khz之间操作，电压输出在5-10kv之间。
14.根据权利要求11所述的装置，其中所述静电卡盘包括导电板和所述导电板上的绝缘层。
15.一种系统，其包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述非正弦电压波形生成系统还包括串联的非正弦电压波形生成器和滤波器，所述非正弦电压波形生成器被配置为在400khz-4000khz之间操作且电压输出在5-10kv之间。
17.根据权利要求15所述的系统，其中所述正弦电压波形生成系统还包括正弦电压波形生成器和rf匹配网络，所述正弦电压波形生成器被配置为产生13.56mhz至100mhz的功率，功率范围在0-100kw之间。
18.一种用于在蚀刻操作期间操作等离子体室以增加离子能量并减小被引导朝向衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱莱恩·休布，崔明烈，亚历山大·米勒·帕特森，王雨后，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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