【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶片清洗，尤其涉及一种清洁治具。
技术介绍
1、在半导体
，晶片表面的清洁度非常重要，如果晶片的表面清洁不干净会对后续的工艺质量造成很大的影响，在对晶片的表面进行清洁时，对于有破裂的晶片，表面经常会带有碎片，由于晶片较小清洁时无法固定时，集中在一起冲洗会使每个晶片上的腐蚀液汇集导致清洗不干净造成残留，影响晶片的质量，同时也会出现晶片跑位移动的情况，影响晶片的清洁质量以及工作效率，而单独对晶片进行固定，又无法实现大规模批量生产，冲洗效率较低。
技术实现思路
1、本申请提供了一种清洁治具，所述清洁治具能够利用多个放置槽固定多个晶片，并可通过将清洗液注入至主通道中，通过导流通道将清洗液分流至对应的放置槽中，实现对多个晶片的批量清洁，冲洗效率和冲洗洁净度均得到了保障。
2、本申请提供了一种清洁治具，用于晶片，包括治具本体，所述治具本体限定出主通道、多个导流通道以及多个放置槽，所述导流通道连通所述主通道和对应的所述放置槽，所述放置槽用于放置所述晶片。
3、根据本申请的清洁治具，所述治具本体上还设有多个导出通道，所述导出通道连通对应的所述放置槽。
4、可选地，多个所述放置槽依次连接并环绕所述主通道设置。
5、可选地，所述放置槽的侧壁上设有第一敞开口和第二敞开口，所述第一敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第二敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第一敞开口限定出所述导流通道连通，所述第二敞开口限定
6、可选地，所述第一敞开口的封闭端与所述第一敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所述第一敞开口的封闭端与所述放置槽底部之间的距离为第一距离，所述第二敞开口的封闭端与所述第二敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所述第二敞开口的封闭端与所述放置槽底部之间的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。
7、可选地，所述导流通道、所述放置槽以及所述导出通道一一对应，在所述放置槽的周向方向上，所述导出通道的宽度大于所述导流通道的宽度。
8、可选地，所述第一敞开口的对称中心线沿所述放置槽的侧壁高度方向延伸，所述第二敞开口的对称中心线沿所述放置槽的侧壁高度方向延伸，所述第一敞开口的对称中心线与所述放置槽的中心轴线所在的平面为第一平面，所述第二敞开口的对称中心线与所述放置槽的中心轴线所在的平面为第二平面，所述第一平面和所述第二平面之间的夹角ɑ满足：0<ɑ<180。
9、可选地，所述第二距离大于所述晶片的厚度；和/或所述放置槽的横截面直径在从下至上的方向上逐渐增大。
10、可选地，所述放置槽上设有多个设有多个第二敞开口，多个所述第二敞开口间隔分布。
11、根据本申请的清洁治具，所述治具本体的底部设有防滑层，所述防滑层上设有防滑纹路；和/或所述放置槽的横截面形状与所述晶片的横截面形状相同，所述放置槽的横截面直径大于所述晶片的横截面直径。
12、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
13、本申请实施例提供的清洁治具，在对晶片进行清洁时，晶片放置于放置槽中，将清洗液注入至主通道中，每个放置槽对应的导流通道将清洁液从主通道中导流至放置槽中，利用清洗液对每个放置槽中放置的晶片进行冲洗，从而实现对多个晶片的批量清洁，冲洗效率和冲洗洁净度均得到了保障。
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1.一种清洁治具，用于晶片，其特征在于，包括治具本体，所述治具本体限定出主通道、多个导流通道以及多个放置槽，所述导流通道连通所述主通道和对应的所述放置槽，所述放置槽用于放置所述晶片。
2.根据权利要求1所述的清洁治具，其特征在于，所述治具本体上还设有多个导出通道，所述导出通道连通对应的所述放置槽。
3.根据权利要求2所述的清洁治具，其特征在于，多个所述放置槽依次连接并环绕所述主通道设置。
4.根据权利要求3所述的清洁治具，其特征在于，所述放置槽的侧壁上设有第一敞开口和第二敞开口，所述第一敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第二敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第一敞开口限定出所述导流通道连通，所述第二敞开口限定出所述导出通道。
5.根据权利要求4所述的清洁治具，其特征在于，所述第一敞开口的封闭端与所述第一敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所述第一敞开口的封闭端与所述放置槽底部之间的距离为第一距离，所述第二敞开口的封闭端与所述第二敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所
6.根据权利要求4所述的清洁治具，其特征在于，所述导流通道、所述放置槽以及所述导出通道一一对应，在所述放置槽的周向方向上，所述导出通道的宽度大于所述导流通道的宽度。
7.根据权利要求4所述的清洁治具，其特征在于，所述第一敞开口的对称中心线沿所述放置槽的侧壁高度方向延伸，所述第二敞开口的对称中心线沿所述放置槽的侧壁高度方向延伸，所述第一敞开口的对称中心线与所述放置槽的中心轴线所在的平面为第一平面，所述第二敞开口的对称中心线与所述放置槽的中心轴线所在的平面为第二平面，所述第一平面和所述第二平面之间的夹角ɑ满足：0<ɑ<180。
8.根据权利要求5所述的清洁治具，其特征在于，所述第二距离大于所述晶片的厚度；和/或所述放置槽的横截面直径在从下至上的方向上逐渐增大。
9.根据权利要求4或5所述的清洁治具，其特征在于，所述放置槽上设有多个设有多个第二敞开口，多个所述第二敞开口间隔分布。
10.根据权利要求1-7任一项所述的清洁治具，其特征在于，所述治具本体的底部设有防滑层，所述防滑层上设有防滑纹路；和/或所述放置槽的横截面形状与所述晶片的横截面形状相同，所述放置槽的横截面直径大于所述晶片的横截面直径。
...【技术特征摘要】
1.一种清洁治具，用于晶片，其特征在于，包括治具本体，所述治具本体限定出主通道、多个导流通道以及多个放置槽，所述导流通道连通所述主通道和对应的所述放置槽，所述放置槽用于放置所述晶片。
2.根据权利要求1所述的清洁治具，其特征在于，所述治具本体上还设有多个导出通道，所述导出通道连通对应的所述放置槽。
3.根据权利要求2所述的清洁治具，其特征在于，多个所述放置槽依次连接并环绕所述主通道设置。
4.根据权利要求3所述的清洁治具，其特征在于，所述放置槽的侧壁上设有第一敞开口和第二敞开口，所述第一敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第二敞开口的一端沿所述放置槽的侧壁高度方向设有敞开端，所述第一敞开口限定出所述导流通道连通，所述第二敞开口限定出所述导出通道。
5.根据权利要求4所述的清洁治具，其特征在于，所述第一敞开口的封闭端与所述第一敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所述第一敞开口的封闭端与所述放置槽底部之间的距离为第一距离，所述第二敞开口的封闭端与所述第二敞开口的敞开端沿所述放置槽的侧壁高度方向相对设置，所述第二敞开口的封闭端与所述放置槽底部之间的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离...
【专利技术属性】
技术研发人员：张续朋，杨彦伟，陆一锋，罗群，刘亮，
申请(专利权)人：徐州芯思杰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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