电子组件和用于制造电子组件的方法技术

本发明专利技术涉及一种电子组件(1)，包括：至少一个功率半导体元件(6)、至少一个温度传感器(7)和至少一个基材(5)，其中，所述至少一个功率半导体元件(6)和所述至少一个温度传感器(7)通过至少一个热连接元件(8)相连，其中，热连接元件(8)通过热绝缘层(11)在功率半导体元件(6)与温度传感器(7)之间延伸，或者其中，热连接元件(8)延伸至热绝缘层(11)中，在所述热绝缘层中布置有温度传感器。并且发明专利技术还涉及一种用于制造电子组件(1)的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子组件和用于制造电子组件的方法。

技术介绍

1、功率半导体元件、例如igbt或mosfet被用于多种领域。例如这种功率半导体元件用于直流电压的换向或者说逆变，例如用于运行车辆的电驱动机器。

2、功率半导体元件承受预定的工作温度。那么，不允许超过例如功率半导体元件的最大允许工作温度，这是因为否则会不利地影响功率半导体元件的功能性。为了尤其在功率半导体的运行过程中实施温度监控，通过已知的方式应用温度传感器。

3、由现有技术已知文献cn 202586720u，其披露了具有陶瓷化基板的igbt模块，其中，硅层和连接层固定在陶瓷基材上。温度传感器和igbt模块布置在同一陶瓷化的基材上。

4、此外还已知文献ep 3 926 679 a1，其披露了半导体模块组件，其中，该组件包括至少一个温度传感器组件。

5、问题在于，在从现有技术已知的温度传感器相对于功率半导体元件的布置中，会出现多种干扰因素，并且进而导致所选定的功率半导体元件的不准确的温度测量。例如，所选定的功率半导体元件的温度测量会因其他功率半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子组件，包括

2.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，所述热连接元件(8)被热绝缘罩(13)包围。

3.根据上述权利要求中任一项所述的电子组件，其特征在于，所述功率半导体元件(6)嵌入第一注塑材料层(10)中，并且温度传感器(7)嵌入另外注塑材料层(12)中，其中，热绝缘层(11)布置在注塑材料层(10、12)之间，或者其中，另外注塑材料层(12)构成热绝缘层(11)。

4.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，电子组件(1)包括壳体(15)，其中，由至少一个注塑材料层(10、12)和热绝缘层(11)组成的整体的至少一部分至少局部地...

【技术特征摘要】

1.一种电子组件，包括

2.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，所述热连接元件(8)被热绝缘罩(13)包围。

3.根据上述权利要求中任一项所述的电子组件，其特征在于，所述功率半导体元件(6)嵌入第一注塑材料层(10)中，并且温度传感器(7)嵌入另外注塑材料层(12)中，其中，热绝缘层(11)布置在注塑材料层(10、12)之间，或者其中，另外注塑材料层(12)构成热绝缘层(11)。

4.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，电子组件(1)包括壳体(15)，其中，由至少一个注塑材料层(10、12)和热绝缘层(11)组成的整体的至少一部分至少局部地布置在所述壳体(15)中。

5.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，电子组件(1)包括第一壳体和另外壳体(15、16)，其中，第一注塑材料层(10)的至少一部分布置在第一壳体(15)中，并且热绝缘层(11)的至少一部分和/或另外注塑材料层(12)的至少一部分布置在所述另外壳体(16)中。

6.根据上述权利要求中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·阿纳奥特，O·朗，J·施梅林，
申请(专利权)人：大众汽车股份公司，
类型：发明
国别省市：