System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电感结构以及电源模组制造技术_技高网

电感结构以及电源模组制造技术

技术编号:41323897 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-13 15:02
本发明专利技术提供一种电感结构以及电源模组,所述电感结构包括:一个绕组和包封所述绕组的磁芯,其中,所述绕组的第一引出端子位于所述磁芯的上表面,所述绕组的第二引出端子位于所述磁芯的下表面。所述电源模组包括所述电感结构和基板,基板内部裸芯片的电极通过引脚结构引出,便于与外电路相互电连接,使得电源模组的封装更易实现,从而提高集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源封装,更具体地,涉及一种电感结构以及电源模组


技术介绍

1、随着半导体行业的快速发展,电子产品的功能越来越丰富多样,并且趋于微型化、薄型化发展。因此,在半导体系统封装中,电源模组封装内部集成了控制芯片、功率管、电子器件、电感结构等分立器件,构成了一个完整的电源系统,使用时仅需要在封装外部进行简单的配置即可,具有极高的使用便利性和可靠性。

2、然而,一方面,目前的封装结构将芯片,电感结构和分立器件分别焊在焊盘不同位置再一起封装,由于电感结构体积一般较大,导致总体封装面积很大,从而降低了电源模组的整体功率密度。另一方面,有的封装结构将电感结构和芯片以及其他分立元件分开进行封装,由于电感本身表面不是很光滑,进而对焊接工艺要求高,同时至少需要两个pcb板才能将芯片和电感的引脚分别实现连接,增加了封装复杂度,进而导致封装成本高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种电感结构以及电源模组,以解决现有技术存在的问题。

2、根据本专利技术的第一方面,提供一种电感结构,包括:一个绕组和包封所述绕组的磁芯,其中,所述绕组的第一引出端子位于所述磁芯的上表面,所述绕组的第二引出端子位于所述磁芯的下表面。

3、优选地,所述绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,其中,所述第一纵向部从所述第一引出端子开始,沿第一方向延伸至所述第一连接部的第一端,所述第二纵向部从与所述第一连接部的第一端相对的第二端开始,沿所述第一方向延伸至所述第二引出端子,所述第一方向设置为所述磁芯的上表面指向所述磁芯的下表面的方向。

4、优选地,所述第一连接部设置为平行于所述磁芯上表面或下表面的片状结构。

5、优选地,所述第一纵向部和第二纵向部分别沿所述磁芯相对的两个侧表面延伸,且与引脚结构位于不同的侧表面。

6、优选地,所述主绕组被配置为多面体状,所述多面体状至少包括互相平行上表面和下表面,并从所述磁芯的上表面延伸至所述磁芯的下表面,其中,所述第一引出端为所述多面体状的上表面,所述第二引出端为所述多面体状的下表面。

7、根据本专利技术的第二方面,提供一种电感结构,包括:至少一个主绕组;至少一个间接耦合绕组,与所述主绕组并排排列,每个间接耦合绕组与至少一个所述主绕组相邻,每个间接耦合绕组与其相邻的主绕组在水平方向上的投影至少部分重合,以及磁芯,至少包封所述主绕组和部分所述间接耦合绕组,其中,所述主绕组的第一引出端子位于所述磁芯的上表面,所述主绕组的第二引出端子位于所述磁芯的下表面,所述间接耦合绕组的引出端子都位于所述磁芯的下表面。

8、优选地,相邻的主绕组和间接耦合绕组之间通过绝缘材料隔离。

9、优选地,包括两个主绕组和两个间接耦合绕组,其中,两个间接耦合绕组位于两个主绕组之间。

10、优选地,所述主绕组和所述间接耦合绕组交替排列。

11、优选地,所述主绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,其中所述第一纵向部从所述第一引出端子开始,沿第一方向延伸至所述第一连接部的第一端,所述第二纵向部从与所述第一连接部的第一端相对的第二端开始,沿所述第一方向延伸至所述第二引出端子,所述第一方向设置为所述磁芯的上表面指向所述磁芯的下表面的方向。

12、优选地,所述间接耦合绕组包括第三纵向部,第二连接部,第四纵向部,所述第三纵向部从所述第二连接部的第一端开始延伸至所述磁芯的底表面,所述第四纵向部从所述第二连接部的第二端开始延伸至所述磁芯的底表面,所述第二连接部的第一端和第二端相对,所述第二连接部位于所述第三纵向部和所述第四纵向部的侧表面,其中,所述第二连接部至少部分与所述第一连接部相邻并平行设置,所述第三纵向部与所述第一纵向部相邻并平行设置。

13、优选地,所述第二连接部包括相连的第一部分,第二部分,第三部分,其中第二部分分别与所述第一部分和第三部分垂直,所述第二连接部的第二部分与所述第一连接部平行,所述第一部分与所述第三纵向部处于同一平面,所述第三部分与所述第四纵向部处于同一平面。

14、优选地,所述主绕组被配置为长方体状,并从所述磁芯的上表面延伸至所述磁芯的下表面。

15、优选地,所述间接耦合绕组包括第一板面,第二板面以及第三板面,其中,第二板面相对的两端连接相互平行的第一板面和第三板面,第一板面或第三板面与所述主绕组的其中一个侧面平行且相邻设置。

16、优选地,所述磁芯完全包封所述间接耦合绕组。

17、优选地,所述磁芯包封所述间接耦合绕组与所述主绕组相邻的第一板面或第三板面,以及部分第二板面,所述磁芯裸露与所述主绕组不相邻的第三板面或第一板面,以及部分第二板面。

18、根据本专利技术的第三方面,提供一种电源模组,包括:

19、根据上述所述的任一所述的电感结构;

20、基板,至少包封有裸芯片;

21、引脚结构,包括依次连接的第一部分,第二部分,第三部分,其中第一部分位于所述基板的下表面,以与所述裸芯片的相应电极进行电连接,第二部分位于所述电感结构的侧表面,第三结构位于所述电感结构的下表面,以与外部电路连接。

22、本专利技术提供一种电感结构以及电源模组,基板内部裸芯片和分立器件的电极通过引脚结构引出,便于与外电路相互电连接,使得电源模组的封装更易实现,从而提高集成度。同时本实施例中基板形成一个用于裸芯片和分立器件的密封空间,电感结构设置于密封空间外,以减小封装面积,并提高封装可靠性。

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【技术保护点】

1.一种电感结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,所述绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,

3.根据权利要求2所述的电感结构,其特征在于,所述第一连接部设置为平行于所述磁芯上表面或下表面的片状结构。

4.根据权利要求2所述的电感结构,其特征在于,所述第一纵向部和第二纵向部分别沿所述磁芯相对的两个侧表面延伸,且与引脚结构位于不同的侧表面。

5.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,所述绕组被配置为多面体状,所述多面体状至少包括互相平行上表面和下表面,并从所述磁芯的上表面延伸至所述磁芯的下表面,其中,所述第一引出端为所述多面体状的上表面,所述第二引出端为所述多面体状的下表面。

6.一种电感结构,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,相邻的主绕组和间接耦合绕组之间通过绝缘材料隔离。

8.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,包括两个主绕组和两个间接耦合绕组,其中,两个间接耦合绕组位于两个主绕组之间。

9.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,所述主绕组和所述间接耦合绕组交替排列。

10.根据权利要求8所述的电感结构,其特征在于,相邻的两个间接耦合绕组其中一组对角的两个引出端电气连接。

11.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,所述主绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,

12.根据权利要求11所述的电感结构,其特征在于,所述间接耦合绕组包括第三纵向部,第二连接部以及第四纵向部,所述第三纵向部从所述第二连接部的第一端开始延伸至所述磁芯的底表面,所述第四纵向部从所述第二连接部的第二端开始延伸至所述磁芯的底表面,所述第二连接部的第一端和第二端相对,所述第二连接部位于所述第三纵向部和所述第四纵向部的侧表面,其中,所述第二连接部至少部分与所述第一连接部相邻并平行设置,所述第三纵向部与所述第一纵向部相邻并平行设置。

13.根据权利要求12所述的电感结构,其特征在于,所述第二连接部包括相连的第一部分,第二部分,第三部分,其中第二部分分别与所述第一部分和第三部分垂直,所述第二连接部的第二部分与所述第一连接部平行,所述第一部分与所述第三纵向部处于同一平面,所述第三部分与所述第四纵向部处于同一平面。

14.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,所述主绕组被配置为长方体状,并从所述磁芯的上表面延伸至所述磁芯的下表面。

15.根据权利要求14所述的电感结构,其特征在于,所述间接耦合绕组包括第一板面,第二板面以及第三板面,其中,第二板面相对的两端连接相互平行的第一板面和第三板面,第一板面或第三板面与所述主绕组的其中一个侧面平行且相邻设置。

16.根据权利要求15所述的电感结构,其特征在于,所述磁芯完全包封所述间接耦合绕组。

17.根据权利要求15所述的电感结构,其特征在于,所述磁芯包封所述间接耦合绕组与所述主绕组相邻的第一板面或第三板面,以及部分第二板面,所述磁芯裸露与所述主绕组不相邻的第三板面或第一板面,以及部分第二板面。

18.一种电源模组,其特征在于,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种电感结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,所述绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,

3.根据权利要求2所述的电感结构,其特征在于,所述第一连接部设置为平行于所述磁芯上表面或下表面的片状结构。

4.根据权利要求2所述的电感结构,其特征在于,所述第一纵向部和第二纵向部分别沿所述磁芯相对的两个侧表面延伸,且与引脚结构位于不同的侧表面。

5.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,所述绕组被配置为多面体状,所述多面体状至少包括互相平行上表面和下表面,并从所述磁芯的上表面延伸至所述磁芯的下表面,其中,所述第一引出端为所述多面体状的上表面,所述第二引出端为所述多面体状的下表面。

6.一种电感结构,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,相邻的主绕组和间接耦合绕组之间通过绝缘材料隔离。

8.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,包括两个主绕组和两个间接耦合绕组,其中,两个间接耦合绕组位于两个主绕组之间。

9.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,所述主绕组和所述间接耦合绕组交替排列。

10.根据权利要求8所述的电感结构,其特征在于,相邻的两个间接耦合绕组其中一组对角的两个引出端电气连接。

11.根据权利要求6所述的电感结构,其特征在于,所述主绕组包括第一纵向部和第二纵向部,所述第一纵向部和第二纵向部之间设有第一连接部,

12.根据权利要求11所述的电感结构,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:代克危建颜佳佳李超
申请(专利权)人:合肥矽力杰半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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