【技术实现步骤摘要】
一种磁性元件和制造方法,及应用其的电源电路
[0001]本专利技术涉及电感器
,具体地,涉及磁性元件结构和制造方法,及应用其的电源电路。
技术介绍
[0002]耦合电感越来越多的运用于VRM(Voltage Regulator Module,电压调节模组)电路,由于在交错操作(Interleave operation)情况下,负耦合特性可以减小纹波,提高电感的动态特性。由于直流磁通抵消,还能相应的减少磁性元件的尺寸。
[0003]目前,双路耦合电感结构主要如图1所示,包括铁氧体201和铁氧体202,铁氧体22的上表面和侧表面有凹槽,用于绕组10的安装,通过调节三个气隙101,102和103的大小来调节电感的耦合程度,其中,该双路耦合电感的铁氧体的饱和磁通密度比较低,功率密度较低;且三个气隙的大小难以控制,不利于量产和自动化生产。
技术实现思路
[0004]鉴于上述问题,本专利技术的目的在于提供一种磁性元件结构,从而提高磁性元件结构的功率密度,提升磁性元件结构的性能。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供一种磁性元件结构,所述磁性元件包括至少一组内芯,每组内芯包括依次堆叠的下磁芯盖板,第一绕组,中间磁芯盖板,第二绕组和上磁芯盖板,其中,所述第一绕组和所述第二绕组分别嵌入与之相邻的至少一个磁芯盖板中,所述上磁芯盖板、所述中间磁芯盖板和所述下磁芯盖板的材质包括金属磁粉芯。
[0006]优选地,所述磁性元件还包括包封所有所述内芯的包封层,其中,所述包封层的表面包括多个开口,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁性元件,其特征在于:所述磁性元件包括至少一组内芯,每组内芯包括依次堆叠的下磁芯盖板,第一绕组,中间磁芯盖板,第二绕组和上磁芯盖板,其中,所述第一绕组和所述第二绕组分别嵌入与之相邻的至少一个磁芯盖板中,所述上磁芯盖板、所述中间磁芯盖板和所述下磁芯盖板的材质包括金属磁粉芯。2.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于:所述磁性元件还包括包封所有所述内芯的包封层,其中,所述包封层的表面包括多个开口,所述开口用于裸露各个所述第一绕组和各个所述第二绕组的首尾端子。3.根据权利要求2所述的磁性元件,其特征在于:所述磁性元件还包括多个焊盘,多个所述焊盘分别位于所述开口处,并分别与各个所述第一绕组和所述第二绕组的首尾端子电连接。4.根据权利要求2所述的磁性元件,其特征在于:所述包封层为树脂材料。5.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于:所述第一绕组和所述第二绕组分别位于第一绕组基板和第二绕组基板中,所述第一绕组基板和所述第二绕组基板分别嵌入与之相邻的其中一个磁芯盖板中。6.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于:被所述第一绕组基板或所述第二绕组基板嵌入的磁芯盖板为E型盖板,其中,所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型,所述E型盖板的其中一个侧面包括两个开口,所述两个开口用于裸露绕组的首尾两个端子。7.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于:所述第一绕组基板和所述第二绕组基板为平面基板,所述平面基板包括位于所述平面基板中间的一开孔及位于所述平面基板内部或所述平面基板表面的绕组走线,所述绕组走线环绕所述开孔。8.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于:所述上磁芯盖板和所述下磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板,所述中间磁芯盖板为E型盖板。9.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于:所述上磁芯盖板和所述下磁芯盖板为E型盖板,所述中间磁芯盖板为平板型盖板。10.根据权利要求5所述的磁性元件,其特征在于:所述中间磁芯盖板包括两个磁芯盖板:第一磁芯盖板和第二磁芯盖板;其中,所述第一绕组基板位于所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板之间,所述第二绕组基板位于所述第二磁芯盖板和所述上磁芯盖板之间。11.根据权利要求10所述的磁性元件,其特征在于:所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述上磁芯盖板和所述第二磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型。12.根据权利要求7所述的磁性元件,其特征在于:所述E型盖板的所述磁芯中柱穿过所述第一绕组基板或所述第二绕组基板所在平面基板的所述开孔。13.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于:所述第一绕组和所述第二绕组为金属绕线线圈。14.根据权利要求13所述的磁性元件,其特征在于:与所述第一绕组和所述第二绕组相邻的其中一个磁芯盖板包括磁芯中柱,所述第一绕组和所述第二绕组的绕线线圈均围绕所述磁芯中柱。
15.根据权利要求13所述的磁性元件,其特征在于:与所述第一绕组或所述第二绕组相邻的其中一个磁芯盖板上设置有用于引出所述第一绕组或所述第二绕组的首尾两个端子的开口。16.根据权利要求13所述的磁性元件,其特征在于:所述中间磁芯盖板包括两个磁芯盖板:第一磁芯盖板和第二磁芯盖板;其中,所述第一绕组位于所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板之间,所述第二绕组位于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:代克,危建,颜佳佳,
申请(专利权)人:合肥矽力杰半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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