【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体芯片互连架构领域，特别涉及一种片上光电互连结构、半导体芯片。
技术介绍
1、随着技术的发展，集成电路即将来到埃米时代，这使得量子效应不得不被考虑进芯片设计中去，研发周期大幅度延长。为了克服这一弱点，三维堆叠集成在过去的几十年时间里不断发展，通过引入晶粒的概念，经由硅桥接结构可以实现多种芯片之间的单片集成，将芯片之间的“电路板到电路板”连接发展成为桥接芯片内部的连接。
2、集成光学其概念基于在平面衬底上采用微纳刻蚀的技术以形成特定光学波导结构，基于这一概念人们已经实现了利用硅(si)作为导波材料集成的光电有源/无源光电平台。此外，也可采用其他四族或化合物半导体、经掺杂后半导体材料的氮氧化合物、光学晶体薄膜或掺杂后的体晶等形式构成波导结构。
3、光互连是一种利用各种光传输介质把计算机系统内各部件或各子系统连接起来并通过光来高速传递信息的技术。它可以在计算机与计算机、电路板与电路板以及芯片与芯片之间等不同层次实现光互连。光作为信息载波，具有独立传播、无接触链接、极高的时空带宽积等优点。目前最先进的片上光...
【技术保护点】
1.一种片上光电互连结构，包含光信号层、电信号层和光电互连层，其特征在于，所述光信号层与所述电信号层通过光电互连层垂直连接；
2.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，光信号由外部光源通过光源端口导入至光信号层。
3.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，电信号通过光电互连层在光信号层和电信号层之间交换连通。
4.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，所述电信号印加层与所述光信号传输层位于同一水平面。
5.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，所述第三隔离层...
【技术特征摘要】
1.一种片上光电互连结构，包含光信号层、电信号层和光电互连层，其特征在于，所述光信号层与所述电信号层通过光电互连层垂直连接；
2.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，光信号由外部光源通过光源端口导入至光信号层。
3.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，电信号通过光电互连层在光信号层和电信号层之间交换连通。
4.根据权利要求1所述的一种片上光电互连结构，其特征在于，所述电信号印加层与所述光信号传输层位于同一水平面。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵子强，
申请(专利权)人：杭州特洛伊光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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