过滤装置和晶体生长设备制造方法及图纸

本技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和晶体生长设备。过滤装置包括过滤管和过滤件；过滤管的第一端设有第一开口，过滤管的第二端设有第二开口，过滤管内设有过滤区，过滤区位于第一开口与第二开口之间，过滤区具有入口和出口，入口朝向过滤管的内壁设置并向第一开口倾斜，入口与第一开口连通，出口朝向过滤区管的内壁设置并向第二开口倾斜，出口与第二开口连通；过滤件设置在过滤区，过滤件分别与入口和出口连通；过滤管用于设置在晶体生长区，第一开口用于朝向原料堆放区设置，第二开口用于朝向籽晶连接区设置。如此能够较少晶体碳包裹物的产生，从而保障碳化硅晶体的生长速度和产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长，具体而言，涉及一种过滤装置和晶体生长设备。

技术介绍

1、随着现代电子电力产业的不断发展，第一代半导体si和第二代半导体gaas受限于材料本身的固有属性，逐渐不能满足高温、高频、大功率和强辐射器件的需求，而碳化硅材料因其具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和电子迁移速率等优异的理化性能，而被视作为半导体领域最有前景的材料之一，成为国内外研究的重点。

2、物理气相传输法(physical vapor transport method,pvt法)是目前制备sic单晶最为成熟的方法。主要是利用碳化硅粉末在2200℃左右发生分解升华后产生大量的气相混合物simcn并在轴向温度梯度的驱动下扩散至晶体生长界面，在生长界面发生吸附、迁移、结晶等过程，使生长界面向原料区稳定的推移，制备碳化硅单晶。

3、然而，在晶体生长过程中，经常能观察到碳化硅原料粉末的石墨化现象，即碳化硅粉体颗粒发生非化学计量比的分解，更多的硅原子以各种气相富硅组分(m＞n)的形式进入气相中，从而导致生长原料中的碳过量。

4、因此，在发生分解升华本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种过滤装置，应用于坩埚，所述坩埚包括坩埚体和坩埚盖，所述坩埚体具有一腔室，所述坩埚盖盖设于所述坩埚体的一端以封闭所述腔室，所述腔室被配置为相互连通的原料堆放区和晶体生长区，所述晶体生长区位于所述原料堆放区与所述坩埚盖之间，所述坩埚盖的内表面设籽晶连接区，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的过滤装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的过滤装置，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的过滤装置，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的过滤装置，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的过滤装置，其特征在于：</p>

7.根据...

【技术特征摘要】

1.一种过滤装置，应用于坩埚，所述坩埚包括坩埚体和坩埚盖，所述坩埚体具有一腔室，所述坩埚盖盖设于所述坩埚体的一端以封闭所述腔室，所述腔室被配置为相互连通的原料堆放区和晶体生长区，所述晶体生长区位于所述原料堆放区与所述坩埚盖之间，所述坩埚盖的内表面设籽晶连接区，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的过滤装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的过滤装置，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：王友芳，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：

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